[发明专利]含有垂直排列的纳米织物制品的器件及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米管器件，包括：

基本水平的基材，所述基材具有垂直取向的特征；以及

纳米管薄膜，所述薄膜基本上与基材的水平表面贴合，同时也至少与垂直取向的特征贴合。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于所述纳米管薄膜主要包括单层纳米管。

3.如权利要求1所述的器件，其特征在于所述纳米管薄膜包括单壁纳米管。

4.如权利要求1所述的器件，其特征在于所述纳米管薄膜与高导通性信号通路电连接。

5.如权利要求1所述的器件，其特征在于所述基材的垂直取向特征为50纳米或小于50纳米。

6.一种纳米管开关器件，包括：

具有水平主表面和在其中形成的沟道的结构，所述沟道具有垂直壁以及第一和第二电极，所述第一和第二电极各自形成所述垂直壁的一部分；

垂直设置在沟道中的纳米管制品，所述纳米管制品与所述第一和第二电极接触，所述纳米管制品响应电刺激在所述第一和第二电极之间形成和不形成导电通道。

7.如权利要求6所述的纳米管开关器件，其特征在于形成和不形成导电通道对应于在第一和第二电极之间的转换第一和第二电阻状态。

8.如权利要求6所述的纳米管开关器件，其特征在于所述纳米管制品包括纳米管织物的一部分。

9.如权利要求8所述的纳米管开关器件，其特征在于所述纳米管织物共形地设置在所述沟道的垂直壁上。

10.如权利要求6所述的纳米管开关器件，其特征在于所述第一电极包括设置在沟道中并形成沟道底表面的导电性材料。

11.如权利要求10所述的纳米管开关器件，其特征在于所述第二电极包括形成垂直壁的上部的导电性材料。

12.如权利要求11所述的纳米管开关器件，其特征在于所述结构包括一种绝缘材料，所述绝缘材料层介于第一电极和第二电极之间。

13.如权利要求6所述的纳米管开关器件，其特征在于所述纳米管制品非易失性地形成和不形成导电通道。

14.如权利要求6所述的纳米管开关器件，其特征在于所述垂直设置的纳米管制品包括设置在第二电极之上并由绝缘层固定的固定部分。

15.一种存储阵列，包括多个纳米管开关器件，各器件包括：

具有垂直壁以及第一和第二电极的结构，所述第一和第二电极各自形成垂直壁的一部分；

垂直设置的纳米管制品，所述纳米管制品与所述第一和第二电极接触，所述纳米管制品响应电刺激在所述第一和第二电极之间形成和不形成导电通道；

所述多个纳米管开关中至少有两个纳米管开关器件是垂直堆叠的。

16.如权利要求15所述的存储阵列，其特征在于形成和不形成导电通道对应于在第一和第二电极之间转换第一和第二电阻状态。

17.如权利要求15所述的存储阵列，其特征在于所述纳米管制品包括纳米管织物的一部分。

18.如权利要求17所述的存储阵列，其特征在于所述纳米管织物共形地设置在所述结构的垂直壁上。

19.如权利要求15所述的存储阵列，其特征在于所述纳米管制品易失性地形成和不形成导电通道。

20.如权利要求15所述的存储阵列，其特征在于所述纳米管制品非易失性地形成和不形成导电通道。

21.如权利要求20所述的存储阵列，其特征在于还包括与各纳米管器件的第一和第二电极电连接的检测电路，用于检测第一和第二电极之间的电阻状态，所述电阻状态基本上不受检测电阻状态的检测电路的干扰。

22.如权利要求15所述的存储阵列，其特征在于对于至少两个垂直层叠的纳米管开关器件，所述第一纳米管开关器件和第二纳米管开关器件共用所述第一和第二电极中的一个。

23.如权利要求15所述的存储阵列，其特征在于对于各纳米管开关器件，所述第一电极包括一层导电材料，所述导电材料具有形成垂直壁底部的表面。