[发明专利]含有垂直排列的纳米织物制品的器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810186322.4 申请日: 2004-02-12
公开(公告)号: CN101475134A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: V·C·贾帕卡斯;J·W·沃德;T·吕克斯;B·M·塞加尔 申请(专利权)人: 南泰若股份有限公司
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;H01H59/00;G11C13/02;G11C23/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 白益华
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 含有 垂直 排列 纳米 织物 制品 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

本发明专利申请是国际申请号为PCT/US2004/004107根据申请日为2004年2月12日,进入中国国家阶段的申请号为200480003939.8,名称为“含有垂直排列的纳米织物制品的器件及其制备方法”的发明专利申请的分案申请。

相关申请

依据35U.S.C.§119(e),本申请要求提交于2003年2月12日、题为《使用垂直排列的纳米织物制品的机电开关和存储单元及其制备方法》(Electro-Mechanical Switches and Memory Cells UsingVertically-Disposed Nanofabric Articles and Methods of Making the Same)的美国临时专利申请60/446786和提交于2003年2月12日、题为《使用水平排列的纳米织物制品的机电开关和存储单元及其制备方法》(Electro-Mechanical Switches and Memory Cells UsingHorizontally-Disposed Nanofabric Articles and Methods of Making theSame)的美国临时专利申请60/446783的优先权,其全部内容参考结合于此引为参考。

依据35U.S.C.§120,本申请是以下申请的后续部分,并要求以下申请的优先权,这些申请的完整内容参考结合于此:

美国专利申请09/915093,提交于2001年7月25日,题为《使用纳米管带的机电存储阵列及其制备方法》(Electromechanical Memory Array UsingNanotube Ribbons and Methods for Making the Same);

美国专利申请10/033323,提交于2001年12月28日,题为《机电三迹线连接器件》(Electromechanical Three-Trace Junction Devices);

美国专利申请10/128118,提交于2002年4月23日,题为《纳米管薄膜和制品》(Nanotube Films and Articles);

美国专利申请10/341005,提交于2003年1月13日,题为《制备碳纳米管的膜、层、织物、带、元件和制品的方法》(Methods of Making CarbonNanotube Films,Layers,Fabrics,Ribbons,Elements and Articles)。

技术领域

本申请涉及含有垂直排列和其他非水平排列的纳米织物制品的器件及其制备方法。

背景技术

有人提出这样一种存储器件,它用纳米线,如单壁碳纳米管形成交叉结,作为存储单元。[见WO01/03208,《基于纳米线的器件、阵列及其制备方法》;Thomas Rueckes等,《用于分子计算的基于碳纳米管的非易失性随机存取存储器》(Carbon Nanotube-Based Nonvolatile Random Access Memory forMolecular Computing),Science,vol.289,pp.94—97,2000年7月7日]。此后,这些器件称作纳米管线交叉存储器(NTWCM)。根据这些想法,悬置在其他线上面的单个单壁纳米管线就构成了存储单元。电信号书写在一根或两根线上,使它们彼此物理相吸或相斥。每种物理状态(即相吸或相斥线)对应于一种电学状态。相斥线是开放电路结,相吸线是闭合状态,形成整流结。如果从结移去电源,线保持其物理(因而电学)状态,则可形成非易失性存储单元。

NTWCN的想法依赖于定向生长或化学自组装技术,生长存储单元所需的一个个纳米管。现在,人们认为这些技术难以用现代技术付诸商业应用。而且,它们可能受到固有限制,如利用这些技术可靠生长的纳米管的长度有限,而且要控制这样生长出来的纳米管线在几何形状上的统计方差也比较困难。因而需要改进存储器的结构。

美国专利公报2003—0021966所介绍的内容中有一项是机电电路,如存储单元,其中电路包括这样一种结构,它具有导电迹线和从基材表面延伸出来的载体。纳米管带悬置在载体上,所述载体穿过导电迹线。每条带包含一根或多根纳米管。所述带通过有选择地从一层纳米管或纳米管的缠结织物去除材料而形成。

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