[发明专利]结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法无效
| 申请号： | 200810187341.9 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101760740A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 庄欣颖 | 申请（专利权）人： | 及成企业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/34;C25D13/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;张燕华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结合 物理 沉积 制作方法 | ||
1.一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特征在于，步骤包括：
a)提供一被镀物基材；
b)在该被镀物基材的一表面以一物理气相沉积形成有一碳化层；
c)在该碳化层表面再以另一物理气相沉积形成有一导电层，其中镀膜气体 为氩及乙炔混合气体；及
d)在该导电层表面以一电着沉积形成有一外表层。
2.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特 征在于，步骤a)中的被镀物基材为导电体。
3.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特 征在于，步骤a)中的被镀物基材为非导电体。
4.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特 征在于，步骤b)中的靶材为钛靶、铬靶或锆靶。
5.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特 征在于，步骤b)中的镀膜气体为氩及乙炔混合气体。
6.根据权利要求5所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特 征在于，步骤b)中的镀膜气体氩的流量为60～70SCCM。
7.根据权利要求5所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特 征在于，步骤b)中的镀膜气体乙炔的流量为450～650SCCM。
8.根据权利要求5、6或7所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方 法，其特征在于，步骤b)中的镀膜时间为40～45分钟。
9.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特 征在于，步骤c)中镀膜气体乙炔的流量为250～350SCCM。
10.根据权利要求1或9所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法， 其特征在于，步骤c)中镀膜时间为1～2分钟。
11.根据权利要求1所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其 特征在于，步骤d)中所使用涂料必须是选自一阳离子型电着涂料或一阴离子型 电着涂料。
12.一种结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其特征在于，步骤包 括：
a)提供一被镀物基材；
b)在该被镀物基材的一表面以一物理气相沉积形成有一导电层，其中的镀 膜气体为氩及乙炔混合气体；及
c)在该导电层表面以一电着沉积形成有一外表层。
13.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其 特征在于，步骤a)中的被镀物基材为导电体。
14.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其 特征在于，步骤a)中的被镀物基材为非导电体。
15.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其 特征在于，步骤b)中的靶材为钛靶、铬靶或锆靶。
16.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其 特征在于，步骤b)中的镀膜气体氩的流量为60～70SCCM。
17.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其 特征在于，步骤b)中的镀膜气体乙炔的流量为300～500SCCM。
18.根据权利要求12、16或17所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制 作方法，其特征在于，步骤b)中的镀膜时间为30～35分钟。
19.根据权利要求12所述的结合物理气相沉积及电着沉积的制作方法，其 特征在于，步骤c)中所使用涂料必须是选自一阳离子型电着涂料或一阴离子型 电着涂料。
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