[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，设有：

第1双极型晶体管，具有与第1电极节点连接的第1导通节点、 与第2电极节点连接的第2导通节点以及基极节点；

第1导电型的第1绝缘栅型场效应晶体管，连接在所述第2电极 节点与所述第1双极型晶体管的基极节点之间，根据控制信号选择导 通，导通时将所述第2电极节点与所述第1双极型晶体管的基极节点 电连接；

第2导电型的第2绝缘栅型场效应晶体管，具有栅电极、与所述 第1电极节点电连接的第3导通节点以及与所述第1双极型晶体管的 基极节点电连接的第4导通节点，根据所述栅电极的电压与所述第1 电极节点的电压而选择导通，导通时将所述第1电极节点与所述第1 双极型晶体管的基极节点电连接；以及

电压缓和元件，连接在所述第2电极节点与所述第2绝缘栅型场 应晶体管的栅电极之间，在所述第1双极型晶体管的非导通时缓和在 所述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜上施加的电压。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电压缓和元件是 具有PN结的二极管元件。

3.如权利要求2所述的半导体装置，还设有恒压二极管，连接在 所述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅电极与所述第1双极型晶体管的 基极节点之间，导通时在所述栅电极与所述基极节点之间产生恒定电 压。

4.如权利要求2所述的半导体装置，还设有恒压二极管，连接在 所述第1电极节点与所述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅电极之间， 导通时在所述第1电极节点与所述栅电极之间产生恒定电压。

5.如权利要求2所述的半导体装置，还设有被接成二极管的第2 双极型晶体管，连接在所述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅电极与所 述第1双极型晶体管的基极节点之间，导通时减少所述栅电极与所述 基极节点之间的电位差。

6.如权利要求2所述的半导体装置，还设有被接成二极管的第2 双极型晶体管，连接在所述第1电极节点与所述第2绝缘栅型场效应 晶体管的栅电极之间，导通时减少所述第1电极节点与所述栅电极之 间的电位差。

7.如权利要求2所述的半导体装置，还设有结型场效应晶体管， 具有与所述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅电极电连接的第5导通节 点、与所述第2电极节点电连接的第6导通节点以及与所述第1双极 型晶体管的基极节点电连接的控制电极。

8.如权利要求2所述的半导体装置，还设有电阻元件，连接在所 述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅电极与所述二极管元件之间的连 接节点与所述第1双极型晶体管的基极节点之间。

9.如权利要求2所述的半导体装置，还设有电阻元件，电连接在 所述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅电极与所述第1电极节点之间。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电压缓和元件 是结型场效应晶体管，具有与所述第2绝缘栅型场效应晶体管的栅电 极电连接的第5导通节点、与所述第2电极节点电连接的第6导通节 点以及与所述第1双极型晶体管的基极节点电连接的控制电极。