[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200810188379.8 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101447515A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;吴旻达;赖二琨;施彦豪;何家骅;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
1.一种储存器阵列，其特征在于包括：
一半导体基板；
多个储存单元，其中每个储存单元包括：
一第一反型区，位于该半导体基板内；
一第二反型区，位于该半导体基板内；
一沟道区，位于该第一反型区和该第二反型区之间的该半导体基板内；及
一栅极结构，位于该沟道区上方的该半导体基板上，其中该栅极结构包括：
一第一绝缘层，位于该沟道区上；
一俘获层，位于该第一绝缘层上；
一第二绝缘层，位于该俘获层上；
一控制栅极；
一第一扩散区，位于该多个储存单元的一第一末端；
一第二扩散区，位于该多个储存单元的一第二末端；以及
一次栅极，藉由一栅极介电层而与每个储存单元的该第一反型区和该第二反型区电性绝缘，并藉由一绝缘间隙壁而与该栅极结构电性绝缘，其中该多个储存单元共享该次栅极，且一部份的该次栅极位于该第一扩散区上方以及一部份的该次栅极位于该第二扩散区上方。
2.根据权利要求1所述的储存器阵列，其特征在于其中该半导体基板为n型。
3.根据权利要求1所述的储存器阵列，其特征在于其中该控制栅极的材质包括多晶硅、金属或金属硅化物或其组合。
4.根据权利要求1所述的储存器阵列，其特征在于其中该次栅极的材质包括多晶硅、金属、金属硅化物或其组合。
5.根据权利要求1所述的储存器阵列，其特征在于其中该次栅极位于该控制栅极上方。
6.一种储存器阵列，其特征在于包括：
一半导体基板；
多个储存单元，其中每个储存单元包括：
一第一反型区，位于该半导体基板内；
一第二反型区，位于该半导体基板内；
一沟道区，位于该第一反型区和该第二反型区之间的该半导体基板内；及
一栅极结构，位于该沟道区上方的该半导体基板上，其中该栅极结构包括：
一第一绝缘层，位于该沟道区上；
一俘获层，位于该第一绝缘层上；
一第二绝缘层，位于该俘获层上；
一控制栅极；
一第一扩散区，位于该多个储存单元的一第一末端；
一第二扩散区，位于该多个储存单元的一第二末端；以及
一次栅极，藉由一栅极介电层而与每个储存单元的该第一反型区和该第二反型区电性绝缘，并藉由一绝缘间隙壁而与该栅极结构电性绝缘，其中该多个储存单元共享该次栅极，且一部份的该次栅极位于该第一扩散区上方以及一部份的该次栅极位于该第二扩散区上方，且该次栅极的延伸方向垂直于该控制栅极的延伸方向。
7.根据权利要求6所述的储存器阵列，其特征在于其中该半导体基板为n型。
8.根据权利要求6所述的储存器阵列，其特征在于其中该控制栅极的材质包括多晶硅、金属或金属硅化物或其组合。
9.根据权利要求6所述的储存器阵列，其特征在于其中该次栅极的材质包括多晶硅、金属、金属硅化物或其组合。
10.根据权利要求6所述的储存器阵列，其特征在于其中该次栅极位于该控制栅极上方。
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