[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810188422.0 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101465378A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 一条尚生;A·阿丹;成濑一史;键泽笃 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;蒋 骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括:
通过在第一导电类型的半导体衬底的上层中进行离子注入而形成的第二导电类型的阱区，该第二导电类型不同于该第一导电类型；
形成在该阱区内的该第一导电类型的体区；
形成在该体区内的该第二导电类型的源区；
形成在该阱区中与该体区相距一段距离的该第二导电类型的漏区；
形成为重叠该体区的一部分的栅绝缘膜；
形成在该栅绝缘膜上的栅电极；和
该第一导电类型的掩埋扩散区，其与该体区的底部接触并在该阱区内平行于该半导体衬底表面的方向延伸到该漏区下方的区域，以便将该阱区分成上层和下层，
其中，该体区被形成为环形以便包围该漏区，
在作为该漏区一部分的电位设置区下方不形成该掩埋扩散区，以便将该掩埋扩散区下面的该阱区的电位设置成与该漏区的电位相同，以及
该掩埋扩散区的末端部分在该漏区内向上升起。
2.一种半导体器件，包括:
通过在第一导电类型的半导体衬底的上层中进行离子注入而形成的第二导电类型的阱区，该第二导电类型不同于该第一导电类型；
形成在该阱区内的该第一导电类型的体区；
形成在该体区内的该第二导电类型的源区；
形成在该阱区中与该体区相距一段距离的该第二导电类型的漏区；
形成为重叠该体区的一部分的栅绝缘膜；
形成在该栅绝缘膜上的栅电极；和
该第一导电类型的掩埋扩散区，其与该体区的底部接触并在该阱区内平行于该半导体衬底表面的方向延伸到该漏区下方的区域，以便将该阱区分成上层和下层；
形成在该漏区下方的该第二导电类型的辅助扩散区，该辅助扩散区被电连接到该漏区；以及
在该阱区内的第二导电类型的漂移区,该漂移区具有比该阱区更高的浓度，并且与该体区相距一段距离，其中
该体区被形成为环形以便包围该漏区，
在该漂移区中形成具有比该漂移区更高的浓度的漏区，
在作为该漏区一部分的电位设置区下方不形成该掩埋扩散区，以便将该掩埋扩散区下面的该阱区的电位设置成与该漏区的电位相同，以及
辅助扩散区的底部比该掩埋扩散区的底部更深，以便连接该掩埋扩散区下面的该阱区和漂移区。
3.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括
在该阱区内的第二导电类型的漂移区,该漂移区具有比该阱区更高的浓度，并且与该体区相距一段距离，其中
在该漂移区中形成具有比该漂移区更高的浓度的漏区。
4.根据权利要求1到2的任何一个的半导体器件，其中
在该体区内形成具有比该体区更高的浓度的第一导电类型的体接触区。
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