[发明专利]绝缘栅半导体器件及其新型自对准制造方法

权利要求书

1.一种制造绝缘栅半导体器件单元的方法，包括如下步骤：

在半导体基板(1)的阴极侧上的分层结构(2)中形成单元窗(3)，所述分层结构包括所述半导体基板(1)的顶部上的氧化物层(22)和所述氧化物层(22)的顶部上的多晶硅层(21)，

所述单元窗通过部分地向下去除所述分层结构直至所述基板而形成，留下所述分层结构的至少两个隔离条(41，42)保留在所述单元窗内，

所述隔离条(41，42)把所述单元窗(3)划分成位于所述隔离条和所述单元窗的外边缘之间的外单元窗区和位于所述隔离条之间的内单元窗区；

通过如下方式在所述半导体基板中形成第一掺杂区(11)和第二掺杂区(12)：分别将过程掩模应用到所述内或外单元窗区，并且经由另一个、未被覆盖的单元窗区把掺杂物注入到所述基板中；

其特征在于，

在单元窗形成步骤之中或之后，通过进一步向下去除一些所述分层结构直至所述基板，在所述隔离条(41，42)中形成开口(411，421)；

通过经由所述开口(411，421)将掺杂物注入到所述基板中，在所述开口(411，421)之下、所述外单元窗区之下以及所述内单元窗区之下的所述半导体基板中形成第三掺杂区(13)；

部分去除至少两个隔离条(41，42)之间的第三掺杂区(13)；

在之前被部分去除的第三掺杂区(13)的该部分形成将第一和第三掺杂区(11，13)电连接的第一主接触(6)；以及

用于最终的绝缘栅半导体器件单元的至少两个隔离条(41，42)被保留。

2.如权利要求1所述的制造绝缘栅半导体器件单元的方法，其特征在于在所述第一主接触(6)和至少一个所述隔离条(41，42)之间建立电接触。

3.一种绝缘栅半导体器件，包括

分层结构(2)，位于半导体基板(1)的基本为平面的阴极侧上，所述分层结构被设置在单元窗(3)周围并形成绝缘栅，该绝缘栅包括所述半导体基板(1)的顶部上的氧化物层(22)和所述氧化物层(22)的顶部上的多晶硅层(21)，

第一传导性类型的第一掺杂区(11)，所述第一掺杂区延伸到所述单元窗(3)的中心之下的基板中，

第一传导性类型的第二掺杂区(12)，具体为浅基区(12)，所述第二掺杂区延伸到单元窗的外边缘之下的半导体基板中，与所述第一掺杂区(11)相邻；

至少一个第二传导性类型的第三掺杂区(13)，具体为源区(13)，所述第三掺杂区部分延伸到所述第二掺杂区(12)中，与所述第一掺杂区(11)相邻；以及

第一主接触(6)，所述第一主接触设置在顶表面上，电连接于所述第一掺杂区(11)和所述第三掺杂区(13)；

其特征在于，

至少两个隔离条(41，42)被设置在单元窗(3)内、所述绝缘栅和第一主接触(6)之间，把所述单元窗(3)划分为外单元窗区和内单元窗区，所述外单元窗区位于所述至少两个隔离条和绝缘栅之间并且在第三掺杂区(13)之上，并且所述内单元窗区位于所述至少两个隔离条之间并包括主接触(6)，

所述至少两个隔离条包括半导体基板顶部上的氧化物层和氧化物层顶部上的多晶硅层，

所述至少两个隔离条包括开口(411，421)，

第三掺杂区(13)延伸到所述开口之下、所述外单元窗区之下以及所述内单元窗区之下的基板中，

至少两个隔离条(41，42)之间的第三掺杂区(13)被部分去除，第一主接触(6)形成在被部分去除的第三掺杂区(13)的该部分，

第三掺杂区(13)将所述外单元窗区之下的第三掺杂区(13)电连接到第一主接触(6)，以及

第三掺杂区(13)将所述内单元窗区之下的第三掺杂区(13)电连接到至少两个隔离条(41，42)之间的区域中的第一主接触(6)。

4.如权利要求3所述的绝缘栅半导体器件，特征在于

所述第一主接触与至少一个所述隔离条(41，42)电接触。

5.如权利要求3所述的绝缘栅半导体器件，其特征在于

开口(411，421)长度与条长度的比率被安排以匹配所需的发射极镇流电阻。