[发明专利]半导体芯片封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片封装，包括：

芯片衬垫，包括衬底；

金属线，形成于所述衬底中；

多层介电层图案，形成于所述衬底上方以暴露所述金属线，所述多层介电层图案包括第一介电层图案和第二介电层图案，所述第一介电层图案形成在所述金属线上方并与所述金属线重叠，所述第二介电层图案形成在所述第一介电层图案上方，其中，形成的与所述金属线重叠的所述第一介电层图案的边缘部分具有弧形横截面；以及

焊球，布置在所述第一介电层图案的所述边缘部分以接触所述金属线。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装，其中，所述第一介电层图案包括氧化物材料。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片封装，其中，所述第二介电层图案包括氮化物材料。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片封装，其中，所述第一介电层图案具有暴露所述金属线的第一开口，而所述第二介电层图案具有暴露所述金属线的第二开口，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片封装，其中，所述第二开口的宽度和所述金属线的宽度相等。

6.根据权利要求4所述的半导体芯片封装，其中，所述第一开口的宽度小于所述焊球的直径。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片封装，其中，所述金属线由铝(Al)制成。

8.一种方法，包括：

形成包括衬底的芯片衬垫；然后

在所述衬底中形成金属线；然后

在所述衬底上方形成多层介电层图案以暴露所述金属线，所述多层介电层包括第一介电层图案和第二介电层图案，所述第一介电层图案形成在所述金属线上方并与所述金属线重叠，所述第二介电层图案形成在所述第一介电层图案上方；然后

在所述金属线上方布置焊球以接触所述第一介电层图案的拐角边缘部分而不接触所述金属线；然后

刻蚀所述第一介电层图案的所述拐角边缘部分，使得所述焊球接触所述金属线。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，刻蚀所述拐角边缘部分包括刻蚀所述拐角边缘部分以具有弧形横截面。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述多层介电层图案包括：

在包括所述金属线的衬底上方形成第一介电层；然后

将所述第一介电层平坦化；然后

在所述第一介电层上方形成第二介电层；然后

选择性地刻蚀所述第一介电层和所述第二介电层以暴露所述金属线。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过湿法刻蚀工艺，使用所述第二介电层作为掩膜来选择性地刻蚀所述第一介电层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一介电层由氧化膜制成。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二介电层由氮化膜制成。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，选择性地刻蚀所述第一介电层和所述第二介电层包括在所述第一介电层中形成暴露所述金属线的第一开口，而在所述第二介电层中形成暴露所述金属线的第二开口，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二开口的宽度和所述金属线的宽度相等。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一开口的宽度小于所述焊球的直径。

17.根据权利要求8所述的方法，其中，所述金属线由铝(Al)制成。

18.一种方法，包括：

在衬底中形成金属线；然后

在所述衬底上方顺序形成上部介电层图案和下部介电层图案以暴露所述金属线，使得所述下部介电层图案与所述金属线重叠；然后

在所述下部介电层图案上方布置焊球，并且所述焊球接触所述下部介电层图案，使得所述焊球不接触所述金属线；然后

通过在所述下部介电层图案上执行刻蚀工艺，在所述金属线上方的接触位置中设置所述焊球。