[发明专利]制造凹槽栅晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造凹槽栅晶体管的方法，包括：

在衬底上方形成硬质掩膜图样；接着

使用所述硬质掩膜图样作为刻蚀掩膜通过实施刻蚀工艺 在所述衬底中形成沟槽；接着

在所述硬质掩膜图样上实施撤回刻蚀工艺以暴露在所述 衬底中的源区；接着

在实施所述撤回刻蚀工艺之后在所述沟槽中以及包括所 述硬质掩膜图样的所述衬底上方形成硅栅层；接着

在所述硅栅层上实施回蚀工艺以暴露所述硬质掩膜图样 以便所述硅栅层的最上表面在所述硬质掩膜图样的最上表面 以下，其中，在所述硅栅层上实施所述回蚀工艺以便所述硅栅 层具有形成于所述沟槽中的第一部分以及形成于包括所述源 区的衬底上方的第二部分；接着

去除所述硬质掩膜图样；接着

同时刻蚀所述硅栅层和暴露的部分所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是包括N型外 延层和形成于N型外延层上方的P型本体的叠层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成沟槽包括实施所述刻 蚀工艺以暴露所述N型外延层。

4.根据权利要求1所述的方法，在实施所述撤回刻蚀工艺之后以 及在形成所述硅栅层之前，进一步包括：

在所述沟槽和所述源区上方形成栅氧化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述硬质掩膜图样包 括：

在所述整个衬底上方形成光刻胶图样；接着

使用所述光刻胶图样作为刻蚀掩膜刻蚀所述硬质掩膜图 样；然后

去除所述光刻胶图样。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述硬质掩膜图样包 括在所述硬质掩膜图样上实施湿法刻蚀。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，同时刻蚀所述硅栅层和暴 露的部分所述衬底包括同时在所述沟槽中形成凹槽多晶硅栅 并且在所述衬底的暴露部分中形成接触沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，在同时刻蚀所述硅栅层以及所述 衬底的暴露部分之后，进一步包括：

注入杂质离子以在所述源区形成源极；接着

实施退火工艺；接着

在所述衬底、所述凹槽多晶硅栅以及所述源极上方形成 金属层；接着

在所述接触沟槽中以及所述凹槽多晶硅栅上方形成金属 布线；接着

在所述金属布线上方形成绝缘层。

9.一种制造凹槽栅晶体管的方法，包括：

在衬底上方形成硬质掩膜图样；接着

使用所述硬质掩膜图样作为刻蚀掩膜通过实施刻蚀工艺 在所述衬底中形成沟槽；接着

在所述硬质掩膜图样上实施撤回刻蚀工艺以暴露所述衬 底中的源区；接着

在实施撤回刻蚀工艺之后使用所述硬质掩膜图样作为掩 膜在所述源区上实施离子注入工艺以形成源极和所述沟槽的 底部；

在所述沟槽和所述源极上方形成栅氧化层；接着

在所述沟槽中以及在所述栅氧化层和所述硬质掩膜图样 上方形成硅栅层；接着

在所述硅栅层上实施回蚀工艺以暴露所述硬质掩膜图样 以便所述硅栅层的最上表面在所述硬质掩膜的最上表面以下， 其中，在所述硅栅层上实施所述回蚀工艺以便所述硅栅层具有 形成于所述沟槽中的第一部分以及形成于包括所述源区的衬 底上方的第二部分；接着

去除所述硬质掩膜；接着

同时刻蚀所述硅栅层以及所述衬底的暴露部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，同时刻蚀所述硅栅层和所 述衬底的暴露部分包括同时在所述沟槽中形成凹槽多晶硅栅 并且在所述衬底的暴露部分中形成接触沟槽。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述衬底是包括N型外 延层和形成于所述N型外延层上方的P型本体的叠层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成沟槽包括实施所述 刻蚀工艺以暴露所述N型外延层。