[发明专利]电光器件基片、电光器件、电子器件和投影显示设备有效
申请号: | 200810190325.5 | 申请日: | 1998-06-16 |
公开(公告)号: | CN101477991A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 平林幸哉 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰;王小衡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 器件 电子器件 投影 显示 设备 | ||
本申请是下述申请的分案申请:
发明名称:电光器件基片、电光器件、电子器件和投影显示设备
申请日:1998年6月16日
申请号:200310113109.8
技术领域
本发明涉及一种用于电光器件的基片,如反射液晶板基片,特别是涉及一种包括像素区的电光器件基片,该像素区形成在用于选择像素的元件区上。
背景技术
如以下所述,本申请人在1966年10月22日申请的日本专利申请No.8-279388中披露了液晶板基片、液晶板和投影显示设备的结构。如图17所示,采用反射液晶板作为光阀的投影显示设备(液晶投影器)包括:沿系统光轴L0放置的光源110;包括集成透镜120和极化光转换器130的极化光照明单元100;用于借助S极化光反射面201,反射由极化光照明单元100发射的S极化光束的极化光束分束器200;分光镜412,用于从被极化光束分束器200的S极化光反射面201反射的光中分离出蓝光分量(B);用于调制分离的蓝光分量(B)的反射液晶光阀300B;分光镜413,用于借助分光镜412分离蓝光之后,通过反射从光束中分离出红光分量(R);用于调制分离的红光分量(R)的反射液晶光阀300R;用于调制通过分光镜413的剩余绿光分量(G)的反射液晶光阀300G;包括用于将合成的光投影到屏幕600上的投影透镜的投影光学系统500,其中在三个反射液晶光阀300R、300G和300B中调制的光分量在它们的回程路径中通过分光镜413、412和极化光束分束器200被合成。如图18中以剖视图示出的反射液晶板30被用作反射液晶光阀300R、300G和300B。
反射液晶板30包括用胶粘剂固定在由玻璃或陶瓷构成的支承基片32上的反射液晶板基片31;玻璃基片35,该基片带有由透明导电(ITO)膜构成的对电极(公共电极)33,位于入射光一侧,并与反射液晶板基片31相对有一间隙,该基片31被由密封体36构成的框架所封闭;以及公知的扭曲向列(TN)液晶或超垂直排列(super homeotropic)(SH)液晶37,在其中液晶分子在不加电压的状态下垂直排列,液晶被密封在反射液晶板基片31和玻璃基片35之间由密封体36所封闭的空间中。
图19是反射液晶板30中使用的反射液晶板基片31的放大的布局平面图。反射液晶板基片31包括带有像素电极的矩形像素区(显示区)20,该像素电极如图18所示设置成矩阵14;位于像素区20的右侧和左侧外部的栅线驱动器电路(Y驱动器)22R和22L,用于扫描栅线(扫描电极或线电极);位于像素电极14的上侧外部的预充电/测试电路23,用于数据线(信号电极或列电极);位于像素电极14底侧外部的图象信号采样电路24,用于根据图象数据给数据线提供图象信号;具有框架形状的密封区27,位于栅线驱动器22R和22L、预充电/测试电路23和图象信号采样电路24的外部,用于放置密封体36;沿底端排列,并借助其间的各向异性导电膜(ACF)38与软带导线39(flexibletape wiring)相连的多个接线端焊盘26;位于接线端焊盘阵列26和密封区27之间的数据线驱动器电路(X驱动器)21,用于根据图象数据给数据线提供图象信号;位于数据线驱动器电路21两端旁边的中继接线端焊盘(所谓的银点(siver point))29R和29L,用于给在玻璃基片35上的对电极33供电。
位于密封区27内部的外围电路(栅线驱动器电路22R和22L,预充电/测试电路23和图象信号采样电路24)具有隔离膜25(参考图18),以便屏蔽入射光,该隔离膜25与最顶层的像素电极14是一样的。
图20是反射液晶板基片31的像素区20的局部放大平面图,图21是沿图20中的A-A’线所作的剖视图。在图21中,数字1表示具有20mm的边的单晶硅P--半导体基片(N--半导体基片也可以)。数字2表示在半导体基片1的器件形成区(MOSFET等)中的上表面(主表面)上形成的P型阱区,数字3表示场氧化膜(所谓的LOCOS),它是为在半导体基片1的非元件形成区中隔离器件而形成的。图21所示的P型阱区2形成为像素区20的公用阱区,并与用于制造外围电路(栅线驱动器电路22R和22L,预充电/测试电路23,图象信号采样电路24和数据线驱动器21)的器件的P型阱区2’(参考图22)隔离开,其中像素区20设有例如768×1024的尺寸的像素矩阵。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810190325.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电组件闩锁
- 下一篇:半导体器件、液晶显示板、电子设备及制造器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的