[发明专利]像素阵列及其制造方法有效
申请号: | 200810190511.9 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101442060A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 郭蔡骅;陈茂松;黄国有;黄德群 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L23/544;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于,所述像素阵列包括:
一基板,其具有一显示区以及一非显示区;
多条扫描线与多条数据线,位于所述显示区中;
多个有源元件,位于所述显示区中并且与所述这些扫描线与所述这些数据线电连接;
多个第一接垫与多个第二接垫,位于所述非显示区中,其中所述这些第一接垫与所述这些第二接垫彼此交错配置,且所述这些第一接垫及所述这些第二接垫属于不同的膜层;
多条第一配线与多条第二配线,位于所述非显示区且分别与所述这些第一及第二接垫连接,其中所述这些第一配线的其中之一设置于两相邻的所述这些第二配线之间,所述这些第一配线的材料与所述这些第一接垫的材料相同,所述这些第二配线的材料与所述这些第二接垫的材料相同,且所述这些第一接垫的材料与所述这些第二接垫的材料不相同;
一绝缘层,覆盖所述这些数据线、所述这些扫描线、所述这些有源元件、所述这些第一接垫、所述这些第二接垫、所述这些第一配线以及所述这些第二配线;
一有机平坦层,覆盖所述绝缘层,其中所述有机平坦层与所述绝缘层中具有多个第一接触开口、多个第二接触开口以及多个第三接触开口,所述这些第一接触开口暴露出所述这些第一接垫,所述这些第二接触开口暴露出所述这些第二接垫,且所述这些第三接触开口暴露出所述这些有源元件的一部分;
多个第一接垫电极,位于所述非显示区的所述有机平坦层上,且所述这些第一接垫电极通过所述这些第一接触开口而与所述这些第一接垫电连接;
多个第二接垫电极,位于所述非显示区的所述有机平坦层上,且所述这些第二接垫电极通过所述这些第二接触开口而与所述这些第二接垫电连接;以及
多个像素电极,位于所述显示区的所述有机平坦层上,且所述这些像素电极通过所述这些第三接触开口而与所述这些有源元件电连接。
2.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述这些第一接垫的材料与所述这些第二接垫的材料不相同。
3.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述这些第一配线与所述这些第二配线与所述这些数据线电连接。
4.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述这些第一配线与所述这些第二配线与所述这些扫描线电连接。
5.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述这些第一配线与所述这些第二配线中有一部分与所述这些数据线电连接,且另一部分与所述这些扫描线电连接。
6.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,位于所述非显示区的所述有机平坦层的厚度小于位于所述显示区的所述有机平坦层的厚度。
7.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述像素阵列更包括多条第一接线以及多条第二接线,位于所述非显示区中,且所述这些第一接线与所述这些第一接垫电连接,所述这些第二接线与所述这些第二接垫电连接。
8.如权利要求7所述的像素阵列,其特征在于,在所述非显示区的所述有机平坦层与所述绝缘层中更包括多个第四接触开口,其暴露出所述这些第一接线,且所述这些第一接垫电极通过所述这些第四接触开口而与所述这些第一接线电连接。
9.如权利要求7所述的像素阵列,其特征在于,所述基板更包括测试区,且所述测试区具有多个开关元件,所述这些开关元件与所述这些第一接线及与所述这些第二接线电连接。
10.如权利要求9所述的像素阵列,其特征在于,所述像素阵列更包括多个测试元件,位于所述测试区,且所述这些测试元件与所述这些开关元件电连接。
11.如权利要求7所述的像素阵列,其特征在于,所述基板更包括测试区,且所述测试区具有多个测试元件,所述这些测试元件与所述这些第一接线及与所述这些第二接线电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810190511.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高光泽度的玻璃基珠光颜料的制备方法
- 下一篇:全膜提取缬氨酸的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的