[发明专利]具静电放电保护的水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件有效
| 申请号： | 200810190539.2 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101771077A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张义昭 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 水平 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 | ||
1.一种具静电放电保护能力的水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件，其特征在于，所述水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件包括：
一半导体衬底，其上有一外延层；
一埋藏层设置于所述半导体衬底与所述外延层之间；
一图案化的隔离区设置于所述外延层上，定义一第一主动区和一第二主动区；
一P-型双扩散区设置于所述第一主动区中；
一P-型浓掺杂漏极区设置于所述P-型双扩散区中；
一N-型体掺杂区于所述第二主动区中，其中所述P-型双扩散区和所述N-型体掺杂区相隔一特定距离，露出所述半导体衬底；
一对相邻的一P-型和一N-型浓掺杂源极区设置于所述N-型体掺杂区中；以及
一栅极结构于所述P-型浓掺杂源极区和所述P-型浓掺杂漏极区之间；
其中一额外的浓掺杂区设置于所述埋藏层与所述外延层的接口之间，且所述额外的浓掺杂区的位置对应于所述P-型双扩散区，其中所述埋藏层和所述的额外的浓掺杂区导电型态相同。
2.如权利要求1所述的具静电放电保护能力的水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件，其特征在于，所述半导体衬底为一P-型半导体衬底，且所述外延层包括一高压P-型井区，被一高压N-型井区环绕。
3.如权利要求1所述的具静电放电保护能力的水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件，其特征在于，所述额外的浓掺杂区与埋藏层或外延层接口的击穿电压大于等于所述晶体管本身的击穿电压。
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