[发明专利]显示装置有效
申请号: | 200810191149.7 | 申请日: | 2008-08-18 |
公开(公告)号: | CN101447506A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 山田二郎;柏原充宏;福田俊广;浅木玲生;狩野巌大郎 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,提供有:
(A)多个发光装置,包括第一电极、具有发光层的有机层和第二电极,构造为使所述发光层中产生的光在由所述第一电极和所述有机层之间的界面定义的第一界面和在由所述第二电极和所述有机层之间的界面定义的第二界面之间共振,和
(B)透明上基板,具有面向所述第二电极的第一面和设于所述第一面的相对面的第二面,并且固定于所述第二电极之上,其中
所述显示装置满足下述公式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4),并且
反光部分提供在所述透明上基板内,并且产生于所述发光层进入所述透明上基板的所述光被反射并从所述透明上基板的所述第二面引出:
0.7{-Φ1/(2∏)+m1}≤2×OL1/λ≤1.2{-Φ1/(2∏)+m1}(1-1)
0.7{-Φ2/(2∏)+m2}≤2×OL2/λ≤1.2{-Φ2/(2∏)+m2}(1-2)
L1<L2 (1-3)
m1<m2 (1-4)
这里,
L1:从所述发光层的最大发光位置到所述第一界面的距离,
OL1:从所述发光层的所述最大发光位置到所述第一界面的光程,
L2:从所述发光层的所述最大发光位置到所述第二界面的距离,
OL2:从所述发光层的所述最大发光位置到所述第二界面的光程,
m1、m2:整数,
λ:产生于所述发光层的光谱中的最大峰值的波长,
Φ1:发生在所述第一界面的反射光的相移(单位:弧度),并且-2∏<Φ1≤0,和
Φ2:发生在所述第二界面的反射光的相移(单位:弧度),并且-2∏<Φ2≤0。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述多个发光装置排列成长条状,并且
对于每个发光装置设置多于一个所述反光部分。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中
每个反光部分由回转体的表面的一部分形成,
所述反光部分的下端部设置于所述透明上基板的所述第一面,
所述反光部分的上端部设置在所述透明上基板内,并且所述反光部分的所述上端部与所述透明上基板的所述第二面平行,以及
当作为所述回转体的回转轴的所述反光部分的轴假定为z轴时,所述显示装置满足下面的公式:
这里,
rRef-B:所述反光部分的所述下端部的半径,
rRef-T:所述反光部分的所述上端部的半径,
LRef:沿着所述z轴从所述反光部分的所述下端部到所述上端部的距离,和
nSub-T:所述透明上基板的折射率。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中
当所述反光部分沿着包括所述z轴的假想平面切割时,所述反光部分具有抛物线的一部分形成的剖面形状,
从所述抛物线的焦点到准线的垂线相对于所述z轴倾斜,并且
所述显示装置满足下面的公式:
0.1≤rRef-B/LFocus<0.5
这里,
LFocus:当所述反光部分沿着所述假想平面切割时,从所述假想平面和所述反射部分的所述下端部之间的交点到所述抛物线的所述焦点的距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的