[发明专利]显示装置有效
申请号: | 200810191149.7 | 申请日: | 2008-08-18 |
公开(公告)号: | CN101447506A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 山田二郎;柏原充宏;福田俊广;浅木玲生;狩野巌大郎 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置,尤其涉及配备有具有共振腔结构的发光装置的显 示装置。
背景技术
近年来,采用有机电致发光装置(以下简称“有机EL装置”)的发光装 置和有机电致发光显示装置(以下简称为“有机EL显示装置”)得到广泛应 用。关于有机EL显示装置,在技术发展上有着强烈的需求,以使其能产生 有效的光输出,这是因为低的光输出效率意味着有机EL装置中实际发光量 的利用率很低,这成为功率消耗严重浪费或类似情形的原因。
这种情形下,已提出多种用于有机EL显示装置的技术。通过设置突出 结构来提高光输出效率的技术已经公开,例如,公开在JP-A-2003-077648(下 面称为专利文献1)中。通过设置显微透镜来提高光输出效率的技术已经公 开,例如,公开在JP-A-2002-184567(下面称为专利文献2)或 JP-T-2005-531102(下面称为专利文献3)中。另外,专利文献3还公开了有 机EL显示装置具有多个包括用于太阳能电池聚光器的复合抛物面聚光器 (CPC)的反射器。
人们还试图通过引入共振器结构例如对产生于发光层的光进行控制,来 提高光的颜色纯度或提高发光效率(比如,参见WO01/39554 A1,下面称为 专利文献4)。在比如日本专利No.3703028(下面称为专利文献5)中还公开 了通过控制产生于共振器结构中的光以及从反射端反射回来的光束达到互 相加强的关系,可使光的强度最大化。
发明内容
根据专利文献1、2和3,通过光的有效利用可以达到功率消耗的减少, 否则功率会在发光装置中通过全反射浪费掉。但是,这些专利文献没有提到 有机EL装置的光学条件,具体地讲是在有机EL装置中提高光输出效率的 包含发光层的有机层的优化。另一方面,根据专利文献4和5,可以通过加 入光共振器结构来提高光输出效率。然而,还存在对于光输出效率进一步提 高的极其强烈的需求。
所希望的是,提供配备有共振器结构并且具有能进一步提高光输出效率 的结构或构造的显示装置。
本发明的第一和第二实施例的显示器具有:
(A)、多个发光装置,包括第一电极、包含发光层的有机层和第二电极, 以使产生于发光层的光在第一电极和有机层之间的界面定义的第一界面和 由第二电极和有机层之间的界面定义的第二界面之间共振,以及
(B)、透明上基板,设置于第二电极之上,具有面向第二电极的第一面 和设于第一面的相对面的第二面。
显示装置满足下述公式(1-1)、(1-2)、(1-3)和(1-4)。
根据本发明第一实施例的显示装置中,形成了反射部分,至少每一个发 光装置形成一个反光部分,并且反光部分从第一面延伸到透明上基板的内 部,以便进入透明上基板的共振光的部分能从透明上基板的第二面反射和输 出。
另一方面,根据本发明第二实施例的显示装置中,形成透镜部分,至少 每个发光装置具有一个透镜部分,并且透镜部分全部形成在透明上基板的第 一面上,以便经第二电极从发光层输出的共振光的部分能从透镜部分穿过。
0.7{-Φ1/(2∏)+m1}≤2×OL1/λ≤1.2{-Φ1/(2∏)+m1} (1-1)
0.7{-Φ2/(2∏)+m2}≤2×OL2/λ≤1.2{-Φ2/(2∏)+m2} (1-2)
L1<L2 (1-3)
m1<m2 (1-4)
这里,
L1:从发光层的最大发光位置到第一界面的距离,
OL1:从发光层的最大发光位置到第一界面的光程,
L2:从发光层的最大发光位置到第二界面的距离,
OL2:从发光层的最大发光位置到第二界面的光程,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的