[发明专利]一种绿光发光二极管有效
| 申请号： | 200810200457.1 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101359711A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 潘尧波;郝茂盛;颜建锋;周健华;张国义 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1、一种绿光发光二极管，其特征在于：所述绿光发光二极管包括含一插入层的InxGa1-xN/GaN多量子阱，其中0.15≤x≤0.35；所述插入层是InyGa1-yN，其中x＜y≤1；或所述插入层是AldGa1-dN，其中0＜d≤1；或所述插入层是IncAl1-cN，其中x＜c≤1；或所述插入层是AlaInbGa1-a-bN，其中0＜a＜1，0＜b＜1并且a，b的取值需满足AlaInbGa1-a-bN的势垒高于GaN的势垒。
2、如权利要求1所述的绿光发光二极管，其特征在于：所述插入层的厚度是0.1～5nm。
3、如权利要求1所述的绿光发光二极管，其特征在于：所述InxGa1-xN/GaN多量子阱的量子阱数目为1～20。
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