[发明专利]基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器无效

专利信息
申请号: 200810201242.1 申请日: 2008-10-16
公开(公告)号: CN101387614A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 李以贵;高阳;张俊峰 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 导电 聚合物 碳黑 颗粒 气敏微 传感器
【权利要求书】:

1、一种基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征在于,从底层到顶层依次包括硅衬底、二氧化硅层、氮化硅膜、钛层、加热电阻丝与梳状叉指电极、聚合物-碳黑混合物敏感膜,其中每一层直接覆盖在下一层的上面,所述硅衬底、二氧化硅层、氮化硅膜、钛层自下而上构成传感器的支撑结构。

2、根据权利要求1所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述聚合物-碳黑混合物敏感膜,其中导电聚合物与碳黑颗粒混合质量比为4:1。

3、根据权利要求1或2所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述聚合物-碳黑混合物敏感膜,其厚度为30μm。

4、根据权利要求1所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述加热电阻丝与梳状叉指电极,其材料为铂金材料。

5、根据权利要求1或4所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述加热电阻丝与梳状叉指电极,其厚度分别为1μm。

6、根据权利要求1所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述硅衬底,其厚度为450μm。

7、根据权利要求1所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述二氧化硅层,其厚度为50μm。

8、根据权利要求1所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述氮化硅,其厚度为20μm。

9、根据权利要求1所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述钛层,其厚度为2μm。

10、根据权利要求1所述的基于导电聚合物-碳黑颗粒的气敏微传感器,其特征是,所述传感器的尺寸为1000μm×700μm×550μm。

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