[发明专利]形成快闪存储器栅极的方法以及快闪存储器有效
| 申请号： | 200810201785.3 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728252A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李雪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 闪存 栅极 方法 以及 | ||
1.一种形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次覆有第一导电层、栅间介电层和第二导电层；
图形化第二导电层至暴露栅间介电层，形成控制栅；
图形化栅间介电层至暴露第一导电层；
在上述两个步骤中任一步之后，形成含氧气体或含氧等离子体氛围，在控制栅的侧壁上形成氧化膜；
图形化第一导电层，形成浮栅。
2.如权利要求1所述的形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于：所述含氧气体或含氧等离子体氛围为由氧化性气体形成的等离子体氛围。
3.如权利要求2所述的形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于：所述氧化性气体为氧气。
4.如权利要求3所述的形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于：形成氧等离子体氛围的工艺为，氧气的流量是100至500sccm/min，氧气的压力是5至60mTorr，形成等离子体的功率是700至1300W，反应室温度为50至60℃，在控制栅的侧壁上形成氧化膜的时间是10至30秒。
5.如权利要求1所述的形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于：所述第二导电层上还依次覆有金属硅化物层、顶部抗反射材料层、硬掩膜层和光刻胶层。
6.如权利要求5所述的形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于，还包括步骤：
图形化光刻胶层；
以图形化的光刻胶层为掩膜，图形化硬掩膜层和顶部抗反射材料层；
去除光刻胶层；
以硬掩膜层为掩膜，图形化硅化物层至暴露第二导电层。
7.如权利要求6所述的形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于：所述图形化第二导电层的步骤，是通过以硬掩膜层为掩膜，干法刻蚀第二导电层至暴露栅间介电层来实现的。
8.如权利要求6所述的形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于：所述图形化栅间介电层的步骤，是通过以硬掩膜层为掩膜，干法刻蚀栅间介电层至暴露第一导电层来实现的。
9.如权利要求6所述的形成快闪存储器栅极的方法，其特征在于：所述图形化第一导电层，是通过以硬掩膜层为掩膜，干法刻蚀第一导电层至暴露栅极氧化物层来实现的。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的形成快闪存储器栅极的方法所制造的快闪存储器，其特征在于：所述快闪存储器具有控制栅，所述控制栅的侧壁上有氧化膜。
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