[发明专利]去除晶圆正面胶粘残渣的方法

权利要求书

1.一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于包括下列步骤：

S10：将晶圆送至第一腔室并使用ACT940溶液进行第一设定时间的清洗；

S20：将晶圆送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液进行第二设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；

S30：将晶圆送至第三腔室进行快速倾卸冲洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；

S40：将晶圆送至第四腔室进行第三设定时间的干燥处理。

2.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述晶圆正面胶粘残渣为晶圆背面研磨时粘贴在晶圆正面的保护膜。

3.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述ACT940溶液的浓度为90％～100％，温度为60摄氏度～80摄氏度。

4.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述第一设定时间为45分钟～75分钟。

5.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述氮甲基吡咯烷酮溶液的浓度为100％，温度为26摄氏度～28摄氏度。

6.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述第二设定时间为5分钟～15分钟。

7.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述快速倾卸冲洗步骤包括首先使用去离子水喷射冲洗，接着使用丙醇溶液清洗并排出清洗液，最后使用氮气吹干并进行加热烘干处理。

8.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述干燥处理步骤使用60摄氏度～80摄氏度的热氮气以及浓度为4％的气态丙醇把晶圆吹干。

9.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述第三设定时间为10分钟～20分钟。

10.根据权利要求1所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于每次移动晶圆之前都将晶圆移动臂进行去离子水冲洗5～6秒并进行干燥处理。

11.一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于包括下列步骤：

S100：将晶圆送至第一ACT940溶液腔室进行第一清洗设定时间的清洗；

S200：将晶圆送至第二ACT940溶液腔室进行第二清洗设定时间的清洗；

S300：将晶圆送至氮甲基吡咯烷酮溶液腔室进行第三清洗设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；

S400：将晶圆送至快速倾卸冲洗腔室进行清洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；

S500：将晶圆送至烘干腔室进行烘干设定时间的干燥处理。

12.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述晶圆正面胶粘残渣为晶圆背面研磨时粘贴在晶圆正面的保护膜。

13.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述ACT940溶液的浓度为90％～100％，温度为60摄氏度～80摄氏度。

14.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述第一清洗设定时间和所述第二清洗设定时间相同且皆为25分钟～40分钟。

15.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述氮甲基吡咯烷酮溶液的浓度为100％，温度为26摄氏度～28摄氏度。

16.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述第三清洗设定时间为5分钟～15分钟。

17.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述快速倾卸冲洗步骤包括首先使用去离子水喷射冲洗，接着使用丙醇溶液清洗并排出清洗液，最后使用氮气吹干并进行加热烘干处理。

18.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述干燥处理步骤使用60摄氏度～80摄氏度的热氮气以及浓度为4％的气态丙醇把晶圆吹干。

19.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于所述烘干设定时间为10分钟～20分钟。

20.根据权利要求11所述的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其特征在于每次移动晶圆之前都将晶圆移动臂进行去离子水冲洗5～6秒并进行干燥处理。