[发明专利]去除晶圆正面胶粘残渣的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，且特别涉及一种清洗晶圆的方法。

背景技术

在集成电路工艺技术中，最频繁的工艺步骤就是晶圆清洗步骤，约占了全部工艺步骤的30％，因此其重要性自然是相当的高。而晶圆清洗的主要目的是去除晶圆表面的杂质颗粒与污染物例如有机化合物、金属杂质，并减少微粒附着。由于导电性杂质颗粒的污染可能会造成半导体元件p-n接面的漏电、缩减少数载子的生命期以及降低元件栅极氧化层的崩溃电压，微粒的附着则会影响微影工艺图案转移的真实性，甚至导致电路结构短路等等。因此，在晶圆清洗工艺中，必须有效的去除附着于晶圆表面的有机化合物、金属杂质以及微粒，如何提高晶圆清洗的效率进而提高工艺合格率是非常重要的。

刷洗工艺是目前业界常用来去除附着于晶圆表面微粒的方法。公知的刷洗工艺是将晶圆片置于刷洗机内，利用大量的去离子水(压力为12MPa至20MPa左右)冲洗晶圆表面。同时并利用刷洗机内的刷头刷洗晶圆片表面，如此可以有效的清除附着于晶圆表面的粒子。在冲洗步骤完成后，利用热氮气进行干燥处理，将晶圆吹干，其中热氮气的温度介于40℃至60℃之间。有机杂质污染可通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除，常用的超声波清洗工艺一般都包含如下步骤：首先，将晶圆在含有清洗试剂的溶液中进行超声波清洗，然后采用去离子水清洗晶圆表面残留的清洗试剂，也可以采用刷洗和去离子水相结合的方法清洗晶圆表面残留的清洗试剂，最后利用惰性气体进行烘干处理。

在晶圆进行背面研磨时，通常会在晶圆的正面粘贴保护晶圆正面的保护膜，当研磨结束需要去除保护膜时，部分保护膜会胶粘在晶圆上面，特别是晶圆的接触垫(pad)边缘或者是擦洗线(scrubber line)处都容易产生残渣，这些残渣若不及时有效地被去除就会造成晶圆的报废，然而现有技术的刷新工艺由于保护膜难以被去离子水冲洗掉因此很难及时有效地去除这些残渣。

发明内容

本发明提出一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其能够有效地去除晶圆背面研磨时粘贴在晶圆正面的保护膜留下的胶粘残渣，防止晶圆报废并不会对铝连接区域以及平坦化区域造成影响。

为了达到上述目的，本发明提出一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其包括下列步骤：

将晶圆送至第一腔室并使用ACT940溶液进行第一设定时间的清洗；

将晶圆送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液进行第二设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；

将晶圆送至第三腔室进行快速倾卸冲洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；

将晶圆送至第四腔室进行第三设定时间的干燥处理。

为了达到上述目的，本发明还提出一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其包括下列步骤：

将晶圆送至第一ACT940溶液腔室进行第一清洗设定时间的清洗；

将晶圆送至第二ACT940溶液腔室进行第二清洗设定时间的清洗；

将晶圆送至氮甲基吡咯烷酮溶液腔室进行第三清洗设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；

将晶圆送至快速倾卸冲洗腔室进行清洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；

将晶圆送至烘干腔室进行烘干设定时间的干燥处理。

本发明提出的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，将带有晶圆背面研磨时粘贴在晶圆正面的保护膜胶粘残渣的晶圆送至腔室内部进行ACT940溶液清洗，之后分别在不同的腔室内部完成氮甲基吡咯烷酮溶液清洗以及快速倾卸冲洗，最后对晶圆进行烘干处理，本发明能够有效地去除晶圆正面胶粘的残渣，防止晶圆报废并不会对铝连接区域以及平坦化区域造成影响。

附图说明

图1所示为本发明第一较佳实施例的流程图。

图2所示为本发明第二较佳实施例的流程图。

图3a所示为处理前的晶圆局部放大图。

图3b所示为去除晶圆正面胶粘残渣后同一位置的局部放大图。

具体实施方式

为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。

本发明提出一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其能够有效地去除晶圆背面研磨时粘贴在晶圆正面的保护膜留下的胶粘残渣，防止晶圆报废并不会对铝连接区域以及平坦化区域造成影响。

请参考图1，图1所示为本发明第一较佳实施例的流程图。本发明提出的去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其包括下列步骤：

S10：将晶圆送至第一腔室并使用ACT940溶液进行第一设定时间的清洗；

S20：将晶圆送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液进行第二设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；