[发明专利]氧化铈纳米片的制备方法无效
| 申请号： | 200810201999.0 | 申请日： | 2008-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101407331A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张登松;施利毅;潘成思 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种氧化铈纳米片的制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：
a.铈盐混合溶液的配制：在不断搅拌条件下，将化学计量的0.3～1.0mmol铈盐和0.6～5.0mmol十六烷基三甲基溴化铵用适量去离子溶解；铈盐和十六烷基三甲基溴化铵的质量摩尔比为1∶2～1∶5；所述的铈盐为氯化铈、硝酸铈或硝酸铈铵中的任一种；
b.水热反应及后处理：将上述所得的铈盐混合溶液，加入适量氨水，并进行超声分散10分钟；然后在100-180℃水热反应1～3天；然后进行离心分离，将分离后的沉淀产物用去离子水洗涤，使其pH值达到7呈中性；然后在60℃下烘干，即得氧化铈纳米片。
2、如权利要求1所述的一种氧化铈纳米片的制备方法，其特征在于所述的氧化铈纳米片的形态为正方形、或菱形、或六边形；其尺寸为20～80nm，厚度为3～5nm。
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