[发明专利]氧化铈纳米片的制备方法无效
申请号: | 200810201999.0 | 申请日: | 2008-10-30 |
公开(公告)号: | CN101407331A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 张登松;施利毅;潘成思 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C01F17/00 | 分类号: | C01F17/00 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 纳米 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种氧化铈纳米片的制备方法,属无机纳米材料制备工艺技术领域。
背景技术
我国的稀土资源十分丰富,工业储量为世界第一。在这之中,氧化铈作为一种稀土化合物,占稀土已探明储量的50%左右。其在汽车尾气净化、固体燃料电池、流体的催化裂解、化学机械抛光研磨剂等方面有着重要的应用。氧化铈纳米结构由于其比表面积大,晶粒尺寸小并且特定纳米结构的表面活性高等特殊的性质,成为目前氧化铈合成的热点之一。
日本专利JP2004107186提出了一种热分解法制备直径在50nm左右的氧化铈纳米球的方法,虽然该方法的产量较大,但是实心纳米球却减小了氧化铈的比表面积,降低其催化性能。US2008051283提出了一种用水热法制备大小在50-1000nm的氧化铈纳米粒子的方法,由于其未用其它模板,所以其颗粒大小的的均一性较差。中国专利CN1683248提出了一种用配位沉淀法制备氧化铈纳米粒子的方法,这种纳米颗粒大小虽在5-10nm,但极易团聚在一起,影响了它们的比表面积,从而降低了氧化铈的性能。同时,在文献报导中的纳米氧化铈,其微观形貌主要是纳米粒子(Marta Maria Natile et al.Chem.Mater.2005,17:3403-3414,Ali Bumajdad et al.Langmuir 2004,20,11223-11233,Yadong Li et al.Journal of Catalysis,2005,229:206-212.)。而易团聚也是它们共有的缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种多形态的氧化铈纳米片的制备方法。
本发明一种氧化铈纳米片的制备方法,其特征在于具有以下的制备过程和步骤:
a.铈盐混合溶液的配制:在不断搅拌条件下,将化学计量的0.3~1.0mmol铈盐和0.6~5.0mmol十六烷基三甲基溴化铵用适量去离子溶解;铈盐和十六烷基三甲基溴化铵的质量摩尔比为1∶2~1∶5;所述的铈盐为氯化铈、硝酸铈或硝酸铈铵中的任一种;
b.水热反应及后处理:将上述所得的铈盐混合溶液,加入适量氨水,并进行超声分散10分钟;然后在100-180℃水热反应1~3天;然后进行离心分离,将分离后的沉淀产物用去离子水洗涤,使其pH值达到7呈中性;然后在60℃下烘干,即得氧化铈纳米片。
所述的氧化铈纳米片的形态为正方形、或菱形、或六边形;其尺寸为20~80nm,厚度为3~5nm。
本发明方法中,氧化铈纳米片的形成机理如下所述:
在反应中,十六烷基三甲基铵离子(CTA+)首先吸附在CeO2纳米晶表面,并且这种吸附是有选择性的,相比(100)晶面来说,CTA+更易吸附于(111)晶面,同时未被稳定的(100)晶面更易被彼此结合,而降低表面能;从较大尺度来看,在一定时间内就形成了方形纳米片。但当温度升高后,CeO2纳米片表现为六方和菱形结构。这是由于温度升高会降低CTA+对(111)晶面吸附力,使模板导向作用减弱;而对没有模板导向作用的立方莹石结构的CeO2来说,通过(111)晶面相结合而降低表面能,这就形成了六方形和菱形纳米片。
本发明方法,是以十六烷基三甲基溴化铵为软模板,通过水热使氧化铈纳米晶生长为氧化铈纳米片。
本发明方法制得的氧化铈纳米片具有以下优点:由于本发明的氧化铈纳米片厚度很小,因此具有较大的比表面积,因此其催化性能明显增强。本发明的纳米氧化铈比表面积为60~90m2/g,而商品氧化铈粉末比表面积为5~10m2/g,文献中报道的纳米氧化铈一般为30~50m2/g。本发明的纳米氧化铈对CO的催化温度要比其他纳米氧化铈降低20~40℃,同等条件下的催化效率提高1~2倍。
本发明方法具有工艺简单、操作方便、结构易控等特点。
附图说明
图1为本发明实施例1所得样品的透射电镜(TEM)照片。(图中的线框标示正方形)
具体实施方式
现将本发明的具体实施例叙述于后。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810201999.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。