[发明专利]一种薄型非接触模块封装的焊接方法无效
申请号: | 200810202796.3 | 申请日: | 2008-11-17 |
公开(公告)号: | CN101419926A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 陆美华;叶佩华 | 申请(专利权)人: | 上海伊诺尔信息技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;G06K19/077 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 翁若莹 |
地址: | 200237上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄型非 接触 模块 封装 焊接 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄型非接触模块封装的焊接方法,其厚度在290-330μm之间,可用于无线支付的银行卡、电子护照、重大会展票、地铁单程票等,此类用量大、可靠性要求高的薄型卡,卡片厚度均需要小于450μm。属于焊接方法技术领域。
背景技术
目前常规的非接触模块封装的焊接方法为正打弧金丝球焊工艺,如图1所示,其方法为:在IC芯片2的压焊区上打第一点球焊点,然后在框架3打第二点楔焊点5,即为正打弧金丝球焊工艺,这种焊接工艺的缺点:弧高1高、拉力低、产品的可靠性差。
非接触模块封装的厚度向薄型化发展,从早期的400μm到目前国际上盛行的330μm,表征着技术创新和应用的拓展,原来的焊接工艺不可能形成小于70微米如此低的弧高。
发明内容
本发明的目的是提供一种弧高控制在30到70微米之间的薄型非接触模块封装的焊接方法。
为实现以上目的,本发明的技术方案是提供一种薄型非接触模块封装的焊接方法,其特征在于,使用倒焊弧方法,其方法为:
第一步,先在IC芯片的压焊区上形成一个金球;
第二步,然后再在引线框架形成第一焊点;
第三步,将第二焊点的楔焊点焊在芯片已焊的金球上,实现倒焊弧;
材料:1mil AW66金丝
焊接参数:
球焊点焊接压力 400-800mN
球焊点焊接时间 5-15ms
球焊点焊接功率 15%-40%
楔焊点焊接压力 300-700mN
楔焊点焊接时间 4-15ms
楔焊点焊接功率 10%-40%
加热块温度 180±5℃。
本发明采用倒焊弧,可以满足弧高控制在30到70微米之间的要求。
本发明的优点是弧高低、拉力高,保证了超薄模塑成品率和可靠性,对直径25微米的金丝,美国军标是大于4克拉力,该新技术突破了常规的标准,达到6克以上的拉力强度。
附图说明
图1为正打弧金丝球焊工艺示意图;
图2为一种薄型非接触模块封装的焊接方法示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
实施例
如图2所示,为一种薄型非接触模块封装的焊接方法示意图,一种薄型非接
触模块封装的焊接方法为:
设备:ESEC 3088
材料:1mil AW66金丝
第一步,先在IC芯片2的压焊区上形成一个金球6;
第二步,然后再在引线框架3形成第一焊点7;
第二步,将第二焊点的楔焊点焊在芯片2已焊的金球6上,实现倒焊弧;
焊接参数:
球焊点焊接压力 600mN
球焊点焊接时间 10ms
球焊点焊接功率 15%-40%
楔焊点焊接压力 500mN
楔焊点焊接时间 10ms
楔焊点焊接功率 10%-40%
加热块温度 180±5℃。
采用倒焊弧,可以满足弧高H控制在30到70微米之间的要求。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造