[发明专利]一种薄型非接触模块封装的焊接方法无效

专利信息
申请号: 200810202796.3 申请日: 2008-11-17
公开(公告)号: CN101419926A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 陆美华;叶佩华 申请(专利权)人: 上海伊诺尔信息技术有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;G06K19/077
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 翁若莹
地址: 200237上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 薄型非 接触 模块 封装 焊接 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种薄型非接触模块封装的焊接方法,其厚度在290-330μm之间,可用于无线支付的银行卡、电子护照、重大会展票、地铁单程票等,此类用量大、可靠性要求高的薄型卡,卡片厚度均需要小于450μm。属于焊接方法技术领域。

背景技术

目前常规的非接触模块封装的焊接方法为正打弧金丝球焊工艺,如图1所示,其方法为:在IC芯片2的压焊区上打第一点球焊点,然后在框架3打第二点楔焊点5,即为正打弧金丝球焊工艺,这种焊接工艺的缺点:弧高1高、拉力低、产品的可靠性差。

非接触模块封装的厚度向薄型化发展,从早期的400μm到目前国际上盛行的330μm,表征着技术创新和应用的拓展,原来的焊接工艺不可能形成小于70微米如此低的弧高。

发明内容

本发明的目的是提供一种弧高控制在30到70微米之间的薄型非接触模块封装的焊接方法。

为实现以上目的,本发明的技术方案是提供一种薄型非接触模块封装的焊接方法,其特征在于,使用倒焊弧方法,其方法为:

第一步,先在IC芯片的压焊区上形成一个金球;

第二步,然后再在引线框架形成第一焊点;

第三步,将第二焊点的楔焊点焊在芯片已焊的金球上,实现倒焊弧;

材料:1mil AW66金丝

焊接参数:

球焊点焊接压力  400-800mN

球焊点焊接时间  5-15ms

球焊点焊接功率  15%-40%

楔焊点焊接压力  300-700mN

楔焊点焊接时间  4-15ms

楔焊点焊接功率  10%-40%

加热块温度      180±5℃。

本发明采用倒焊弧,可以满足弧高控制在30到70微米之间的要求。

本发明的优点是弧高低、拉力高,保证了超薄模塑成品率和可靠性,对直径25微米的金丝,美国军标是大于4克拉力,该新技术突破了常规的标准,达到6克以上的拉力强度。

附图说明

图1为正打弧金丝球焊工艺示意图;

图2为一种薄型非接触模块封装的焊接方法示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明。

实施例

如图2所示,为一种薄型非接触模块封装的焊接方法示意图,一种薄型非接

触模块封装的焊接方法为:

设备:ESEC 3088

材料:1mil AW66金丝

第一步,先在IC芯片2的压焊区上形成一个金球6;

第二步,然后再在引线框架3形成第一焊点7;

第二步,将第二焊点的楔焊点焊在芯片2已焊的金球6上,实现倒焊弧;

焊接参数:

球焊点焊接压力  600mN

球焊点焊接时间  10ms

球焊点焊接功率  15%-40%

楔焊点焊接压力  500mN

楔焊点焊接时间  10ms

楔焊点焊接功率  10%-40%

加热块温度      180±5℃。

采用倒焊弧,可以满足弧高H控制在30到70微米之间的要求。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海伊诺尔信息技术有限公司,未经上海伊诺尔信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810202796.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top