[发明专利]形成接触孔的方法及半导体器件无效
| 申请号： | 200810202831.1 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740470A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 宋伟基;赵简 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L23/522;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 接触 方法 半导体器件 | ||
1.一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括步骤：
在衬底上形成金属硅化物层；
使用含氮等离子体处理所述金属硅化物层，从而在所述金属硅化物层上形成刻蚀停止薄膜层；
在所述刻蚀停止薄膜上形成堆栈层；
刻蚀所述堆栈层至至少暴露刻蚀停止薄膜层，形成接触孔。
2.如权利要求1所述的形成接触孔的方法，其特征在于：形成所述含氮等离子体的气体源包括氮气或氨气或者这两者的混合气体。
3.如权利要求1所述的形成接触孔的方法，其特征在于：所述金属硅化物为硅化钴。
4.如权利要求1所述的形成接触孔的方法，其特征在于，形成刻蚀停止膜的工艺为：用于形成含氮等离子体的含氮气体的流量是100sccm/min至1000sccm/min；含氮气体的压力是1mTorr至10mTorr；形成等离子体的功率是100W至1000W；处理的时间是5秒至20秒。
5.如权利要求1所述的形成接触孔的方法，其特征在于，形成刻蚀停止膜的工艺为：用于形成含氮等离子体的氮气的流量是300sccm/min至1000sccm/min；氮气的压力是1mTorr至7mTorr；形成等离子体的功率是100W至1000W；处理的时间是5秒至20秒。
6.如权利要求1所述的形成接触孔的方法，其特征在于，形成刻蚀停止膜的工艺为：用于形成含氮等离子体的氨气的流量是400sccm/min至700sccm/min；氨气的压力是1mTorr至9mTorr；形成等离子体的功率是100W至1000W；处理的时间是5秒至20秒。
7.如权利要求1所述的形成接触孔的方法，其特征在于，形成刻蚀停止膜的工艺为：用于形成含氮等离子体的气体是氮气与氨气的混合气体，其中氮气的流量是100sccm/min至600sccm/min，氨气的流量是100sccm/min至600sccm/min；混合气体的压力是2mTorr至7mTorr；形成等离子体的功率是100W至1000W；处理的时间是5秒至20秒。
8.一种半导体器件，包括金属硅化物层，其特征在于：所述金属硅化物层之上覆有使用含氮等离子体与所述金属硅化物层反应形成的刻蚀停止薄膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
