[发明专利]LDMOS晶体管、半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810203538.7 申请日: 2008-11-27
公开(公告)号: CN101740392A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 郑大燮;王东立;陈德艳;陈良成;崔崟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/8234
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: ldmos 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种LDMOS晶体管的制作方法,包括如下步骤:

提供半导体衬底;

在所述半导体衬底内形成深掺杂阱,所述深掺杂阱的导电类型与在该深掺杂 阱内待形成的LDMOS晶体管的沟道导电类型相同,所述深掺杂阱内待形成的 LDMOS晶体管具有源极、漏极、以及栅介质层;

在所述深掺杂阱内形成隔离结构,所述隔离结构位于源极和漏极之间且靠近 漏极;

在所述深掺杂阱内形成第一离子掺杂区,所述第一离子掺杂区的导电类型与 LDMOS晶体管的沟道导电类型相同;所述第一离子掺杂区的深度大于隔离结构 底部、且覆盖漏极、以及至少覆盖隔离结构的外围在所述深掺杂阱内对应的 部分区域;

在所述深掺杂阱内形成第二离子掺杂区,所述第二离子掺杂区的导电类型与 LDMOS晶体管的沟道导电类型相反;所述第二离子掺杂区覆盖源极、以及至少 覆盖栅介质层在所述深掺杂阱内对应的部分区域;所述第二离子掺杂区和第 一离子掺杂区之间具有间隔。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法,形成所述深掺杂阱之后还 包括退火步骤,所述退火温度为800至1100℃,退火气氛为N2,退火时间为1 至3小时。

3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制作方法,还包括:形成位于所述半 导体衬底表面的中压器件的掺杂阱;所述第一离子掺杂区通过离子注入形成, 所述离子注入与中压器件的掺杂阱同时进行。

4.根据权利要求3所述的LDMOS晶体管的制作方法,形成所述第一离子掺杂区 的离子注入的掩膜图形与形成中压器件的掺杂阱的掩膜图形位于同一块掩模 版上。

5.根据权利要求4所述的LDMOS晶体管的制作方法,所述LDMOS晶体管的沟道 导电类型为n型,形成所述第一离子掺杂区的掩膜图形与形成中压器件的n型 掺杂阱的掩膜图形位于同一块掩模版上,形成所述第二离子掺杂区的掩膜图 形与形成中压器件的p型掺杂阱的掩膜图形位于同一块掩模版上,所述深掺杂 阱为n型。

6.根据权利要求4所述的LDMOS晶体管的制作方法,所述LDMOS晶体管的沟道 导电类型为p型,形成所述第一离子掺杂区的图形与形成中压器件的p型掺杂 阱的掩膜图形位于同一块掩模版上,形成所述第二离子掺杂区的掩膜图形与 形成中压器件的n型掺杂阱的掩膜图形位于同一块掩模版上,所述深掺杂阱为 p型。

7.根据权利要求6所述的LDMOS晶体管的制作方法,在形成所述深掺杂阱之前 还包括形成深n型掺杂阱步骤,所述深n型掺杂阱深度大于深掺杂阱。

8.一种LDMOS晶体管,包括:

位于半导体衬底内的源极、漏极、以及栅介质层;

隔离结构,位于源极和漏极之间且靠近漏极;

第一离子掺杂区,位于所述半导体衬底内,所述第一离子掺杂区的导电类型 与LDMOS晶体管的沟道的导电类型相同;所述第一离子掺杂区的深度大于隔离 结构底部、且覆盖漏极、以及至少覆盖隔离结构的外围在所述半导体衬底内 对应的部分区域;

第二离子掺杂区,位于所述半导体衬底内,所述第二离子掺杂区的导电类型 与LDMOS晶体管的沟道的导电类型相反;所述第二离子掺杂区覆盖源极、以及

至少覆盖栅介质层在所述半导体衬底内对应的部分区域;所述第二离子掺杂 区和第一离子掺杂区之间具有间隔;

其特征在于,还包括:深掺杂阱,所述深掺杂阱的导电类型与LDMOS晶体管的 沟道的导电类型相同,且覆盖所述第一离子掺杂区、第二离子掺杂区、以及 栅介质层在所述半导体衬底内对应的部分区域。

9.根据权利要求8所述的LDMOS晶体管,还包括位于半导体衬底内的深n型掺 杂阱,所述深n型掺杂阱深度大于深掺杂阱。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810203538.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top