[发明专利]收缩线型图形特征尺寸的方法无效
| 申请号： | 200810203804.6 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101752205A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;邹立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3115;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 收缩 线型 图形 特征 尺寸 方法 | ||
1.一种收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于，该方法包括：
对作为掩膜的光阻图形进行离子注入，使得所述光阻图形的特征尺寸收缩。
2.根据权利要求1所述的收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于，还包括将所述光阻图形作为掩膜进行干法蚀刻的工艺。
3.根据权利要求1所述的收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于在所述离子注入步骤之前包括下列步骤：
提供其上具有抗反射层的晶圆衬底；
在所述抗反射层上涂布光阻层；
对上述结构进行微影制程处理，形成光阻图形。
4.根据权利要求1所述的收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度为200埃～10000埃。
5.根据权利要求1所述的收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于，所述光阻层的厚度为2000埃～40000埃。
6.根据权利要求1所述的收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于，所述离子注入处理为注入磷离子、铟离子、砷离子、硼离子、氟化硼离子或者硅离子。
7.根据权利要求1所述的收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于，所述离子注入处理使用离子注入机或者等离子注入机。
8.根据权利要求1所述的收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于，所述离子注入处理的离子注入量为1.0E+14atoms/cm2～1.0E+16atoms/cm2。
9.根据权利要求1所述的收缩线型图形特征尺寸的方法，其特征在于，所述离子注入处理的离子注入能量为10KeV～150KeV。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
