[发明专利]系统级封装方法及其结构

权利要求书

1.一种系统级封装方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括含有半导体器件的第一表面和与之相对的第二表面；

从第一表面在晶圆内形成环形的隔离带，所述环形的隔离带位于待形成栓塞处，所述环形的隔离带与晶圆之间电性绝缘；

在环形的隔离带的内环区域通过离子注入形成导电的离子掺杂区，形成栓塞；将至少两个上述晶圆的相应栓塞处对准并键合。

2.根据权利要求1所述的系统级封装方法，所述注入的离子为n型离子或者p型离子。

3.根据权利要求2所述的系统级封装方法，所述导电的离子掺杂区注入离子为磷离子，所述注入离子的能量范围为1KeV至5000KeV，剂量范围为10¹⁰至10²⁰cm^-2数量级。

4.根据权利要求2所述的系统级封装方法，所述导电的离子掺杂区注入离子为硼离子，所述注入离子的能量范围为1KeV至5000KeV，剂量范围10¹⁰至10²⁰cm^-2数量级。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的系统级封装方法，所述环形的隔离带为填充有绝缘介质的环形的隔离沟槽，所述环形的隔离沟槽的厚度为0.1至5μm。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的系统级封装方法，所述环形的隔离带为注入不同导电类型的离子形成的导电通道PN结，所述环形的隔离带的厚度为0.2至10μm。

7.根据权利要求1所述的系统级封装方法，所述将至少两个上述晶圆的相应栓塞处对准并键合步骤包括：

在一晶圆的第一表面形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层内形成接触栓塞，所述接触栓塞与该晶圆内的栓塞对应电性连接；

从第二表面对另一晶圆减薄至栓塞的底部；

将第二绝缘层的表面与另一晶圆的经过减薄的表面键合形成一体、且所述一晶圆的接触栓塞与另一晶圆的栓塞对应电性连接。

8.根据权利要求7所述的系统级封装方法，所述第二绝缘层为氧化硅。

9.一种系统级封装结构，包括：

晶圆，所述晶圆包括含有半导体器件的第一表面和与之相对的第二表面；

其特征在于，所述晶圆还包括：

环形的隔离带，从第一表面向晶圆内延伸，所述环形的隔离带位于晶圆内的待形成栓塞处，所述环形的隔离带与晶圆之间电性绝缘；

栓塞，位于晶圆内的环形的隔离带的内环区域，所述栓塞为通过离子注入形成的导电的离子掺杂区；

其中，至少两个上述晶圆经键合形成一体且相应栓塞处电性连接。

10.根据权利要求9所述的系统级封装结构，所述注入的离子为n型离子或者p型离子。

11.根据权利要求10所述的系统级封装结构，所述导电的离子掺杂区注入离子为磷离子，所述注入离子的能量范围为1KeV至5000KeV，剂量范围为10¹⁰至10²⁰cm^-2数量级。

12.根据权利要求10所述的系统级封装结构，所述导电的离子掺杂区注入离子为硼离子，所述注入离子的能量范围为1KeV至5000KeV，剂量范围为10¹⁰至10²⁰cm^-2数量级。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的系统级封装结构，所述环形的隔离带为填充有绝缘介质的环形的隔离沟槽，所述环形的隔离沟槽的厚度为0.1至5μm。

14.根据权利要求9至12中任一项所述的系统级封装结构，所述环形的隔离带为注入不同导电类型的离子形成的PN结，所述环形的隔离带的厚度为0.2至10μm。

15.根据权利要求9所述的系统级封装结构，所述晶圆中的一晶圆的第一表面还形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层内形成有接触栓塞，所述接触栓塞与该晶圆内的栓塞对应电性连接；

所述晶圆中的另一晶圆经过从第二表面的减薄，且减薄至该晶圆内的栓塞的底部；

其中，所述一晶圆的第一表面上的第二绝缘层与所述另一晶圆的经减薄的表面键合形成一体，所述一晶圆内的第二绝缘层内的接触栓塞与另一晶圆内的栓塞对应电性连接。

16.根据权利要求15所述的系统级封装结构，所述第二绝缘层为氧化硅。