[发明专利]MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200810204182.9 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101752253A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在半导体衬底上形成栅极结构；
在栅极结构两侧的半导体衬底中进行源/漏延伸区注入；
在栅极结构两侧的半导体衬底中依次注入第一离子、第二离子和第三离 子，所述第一离子包含锗离子和/或铟离子，所述第二离子包含碳离子和/或氟 离子，所述第三离子包含硼离子和/或二氟化硼离子，形成袋形注入区；
在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源/漏极。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行第一 离子注入的能量为3KeV至20KeV。
3.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行第一 离子注入的能量为14KeV至16KeV。
4.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行第二 离子注入的能量为3KeV至15KeV。
5.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行第二 离子注入的能量为5KeV至7KeV。
6.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述第三 离子为硼离子，进行硼离子注入的能量为4KeV至8KeV。
7.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述第三 离子为硼离子，进行硼离子注入的能量为5KeV至6KeV。
8.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行第一 离子注入的剂量为1×1014cm-2至1×1015cm-2。
9.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行第二 离子注入的剂量为1×1014cm-2至1×1015cm-2。
10.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行 第二离子注入的剂量为6×1014cm-2。
11.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行 第三离子注入的剂量为4×1013cm-2至6×1013cm-2。
12.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行 第三离子注入的剂量为5×1013cm-2。
13.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行 第一离子注入的方向与所述半导体衬底的夹角为70度至90度。
14.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行 第一离子注入的方向与所述半导体衬底的夹角为83度至87度。
15.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行 第二离子注入的方向与所述半导体衬底的夹角为55度至90度。
16.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行 第二离子注入的方向与所述半导体衬底的夹角为55度至65度。
17.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：进行 第三离子注入的方向与所述半导体衬底的夹角为60度至90度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
