[发明专利]光刻方法

权利要求书

1.一种光刻方法，其特征在于，包括：

确定作为预曝光焦平面的预定位置，所述预定位置相对于理论焦平面位置 更为远离晶片；

使光束在所述预定位置聚焦，对待处理晶片进行预曝光，使靠近所述待处 理晶片一侧的部分光致抗蚀剂未曝光；

根据所述未曝光的光致抗蚀剂厚度，对所述光致抗蚀剂施加电场，使其完 全反应。

2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述根据未曝光的光致抗蚀 剂厚度，对光致抗蚀剂施加电场使其完全反应，包括：

获取所述未曝光的光致抗蚀剂的厚度；

根据所述未曝光的光致抗蚀剂的厚度以及所述待施加电场，获得所需电场 施加时间；

根据所获得的电场施加时间，对所述未曝光的光致抗蚀剂施加所述电场， 使其完全反应。

3.如权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述电场在垂直于所述光致 抗蚀剂表面方向具有匀强场强。

4.如权利要求3所述的光刻方法，其特征在于，所述电场的施加时间根据所 述未曝光的光致抗蚀剂厚度以及所述匀强场强进行计算。

5.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述预定位置位于所述光致 抗蚀剂的内部，或位于所述光致抗蚀剂的外部，或位于所述光致抗蚀剂与 待处理晶片表面不相接触的界面上。

6.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述确定作为预曝光焦平面 的预定位置包括：

计算出设定焦平面的位置；

根据所述设定焦平面和光致抗蚀剂界面，确定所述预定位置。

7.如权利要求6所述的光刻方法，其特征在于，所述设定焦平面为使光致抗 蚀剂完全曝光时的理论焦平面。

8.如权利要求6所述的光刻方法，其特征在于，所述预定位置相对于所述设 定焦平面，更为远离待处理晶片。

9.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述光致抗蚀剂为化学增幅 型光刻胶。