[发明专利]光学临近效应修正方法有效

专利信息
申请号: 200810204777.4 申请日: 2008-12-17
公开(公告)号: CN101750876A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 王伟斌 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 20120*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光学 临近 效应 修正 方法
【权利要求书】:

1.一种光学临近效应修正方法,其特征在于,包括:

在包含孤立线的电路图案中,添加与孤立线平行的散射条,所述散射条成 对添加,对称位于所述孤立线两侧;

对该电路图案进行光学临近效应修正处理;以及

在所述平行的散射条中最接近孤立线的散射条上,添加与孤立线垂直的散 射条,其中所述垂直散射条的一端位于所述最接近孤立线的散射条上,另一端 指向孤立线对应的接触点在孤立线上的投影,确定所述垂直散射条的长度包括 以下步骤:步骤a1,选定垂直散射条的初始长度;步骤a2,在根据该初始长度 添加垂直散射条后,对孤立线所属电路图案进行相应模拟计算;步骤a3,根据 计算结果,判断电路图案是否满足预定条件,所述预定条件由孤立线宽度、接 触点尺寸、孤立线所属电路图案及工艺状况确定;如果满足,转到步骤a4,否 则转到步骤a5;步骤a4,将该初始长度作为所述垂直散射条的长度;步骤a5, 调整选定的初始长度,转到步骤a1。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述最接近孤立线的散射条有 两条,分别位于孤立线的两侧;以及

在所述最接近孤立线的两条散射条上添加所述垂直的散射条。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述最接近孤立线的散射条有 两条,分别位于孤立线的两侧;以及

在所述最接近孤立线的两条散射条中任意一条散射条上添加所述垂直的散 射条。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对于孤立线对应的全部接触点, 均对应添加垂直的散射条。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对于孤立线对应的部分接触点, 对应添加所述垂直的散射条。

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