[发明专利]光学临近效应修正方法有效
申请号: | 200810204777.4 | 申请日: | 2008-12-17 |
公开(公告)号: | CN101750876A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 王伟斌 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 临近 效应 修正 方法 | ||
1.一种光学临近效应修正方法,其特征在于,包括:
在包含孤立线的电路图案中,添加与孤立线平行的散射条,所述散射条成 对添加,对称位于所述孤立线两侧;
对该电路图案进行光学临近效应修正处理;以及
在所述平行的散射条中最接近孤立线的散射条上,添加与孤立线垂直的散 射条,其中所述垂直散射条的一端位于所述最接近孤立线的散射条上,另一端 指向孤立线对应的接触点在孤立线上的投影,确定所述垂直散射条的长度包括 以下步骤:步骤a1,选定垂直散射条的初始长度;步骤a2,在根据该初始长度 添加垂直散射条后,对孤立线所属电路图案进行相应模拟计算;步骤a3,根据 计算结果,判断电路图案是否满足预定条件,所述预定条件由孤立线宽度、接 触点尺寸、孤立线所属电路图案及工艺状况确定;如果满足,转到步骤a4,否 则转到步骤a5;步骤a4,将该初始长度作为所述垂直散射条的长度;步骤a5, 调整选定的初始长度,转到步骤a1。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述最接近孤立线的散射条有 两条,分别位于孤立线的两侧;以及
在所述最接近孤立线的两条散射条上添加所述垂直的散射条。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述最接近孤立线的散射条有 两条,分别位于孤立线的两侧;以及
在所述最接近孤立线的两条散射条中任意一条散射条上添加所述垂直的散 射条。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对于孤立线对应的全部接触点, 均对应添加垂直的散射条。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,对于孤立线对应的部分接触点, 对应添加所述垂直的散射条。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810204777.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:空调机室外机组的电气部件箱
- 下一篇:太阳能取暖装置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备