[发明专利]光学临近效应修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及光学临近效应修正(OPC，Optical Proximity Correction)方法。

背景技术

在半导体制程中，为将集成电路(IC，Integrated Circuit)的电路图案转移至 半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为掩膜版图案，再将该掩膜版图 案从掩膜版表面转移至半导体芯片。

然而随着集成电路特征尺寸缩小，以及受到曝光机台(OET，Optical Exposure Tool)的分辨率极限(Resolution Limit)的影响，在对高密度排列的掩膜版图案 进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学临近效应(OPE，optical Proximity Effect)。例如直角转角圆形化(Right-angled corner rounded)、直线末 端紧缩(Line End Shortened)以及直线线宽增加/缩减(Line Width Increase/decrease)等都是常见的光学临近效应导致的掩膜版图形转移缺陷。

目前业界通常采用一计算机系统来预先对集成电路的电路图案进行OPC处 理，再根据OPC处理后的集成电路的电路图案制作掩膜版图案，然后将该掩膜 版图案从掩膜版表面转移至半导体芯片，制作集成电路。这样即使存在上述临 近效应，使得掩膜版图案和转移至半导体芯片上的图案有偏差，但由于已经进 行OPC处理，因此减少了所述偏差对集成电路性能和成品率的不利影响。下面 以集成电路的电路图案中常见的孤立线(Isolated Line)为例说明现有OPC处理 方案。

图1为采用现有OPC方案对孤立线电路图案进行处理的电路图案示意图， 结合该图，现有OPC处理方案为：首先在电路图案中，在孤立线11临近处，添 加与孤立线11平行的散射条12(SB，Scattering Bar)；然后对该电路图案进行 OPC调整。其中图中标号13代表孤立线11对应的接触点(CT，Contact)，在集 成电路中，CT13位于孤立线11所处叠层的上方叠层，此处理解为其投影。

上述方案虽然调整作用较佳，但由于孤立线11通常长度大，宽度小，因此 在显影工艺中容易产生崩塌(peeling)现象，此外在集成电路中，由于CT13 是从孤立线所属叠层的上方叠层打孔直至孤立线11上，因此CT13对应至孤立 线11上的位置可能与预定位置有偏差，造成CT覆盖(coverage)问题。

为避免上述peeling及CT Coverage的问题，现有解决方案为：在电路图案 中，在孤立线每隔一定长度就局部加粗，形成如图2所示的孤立线21，图2为 采用现有OPC方法对另一种孤立线电路图案进行处理的电路图案示意图。这个 方案虽然能够避免上述peeling及CT Coverage的问题，但是该方案至少存在如 下问题：

一，根据图2所示的孤立线21电路图案，在掩膜版上制作相应的掩膜图案 时，该制作过程复杂，提高了掩膜版的制作成本；

二，由于孤立线21有多处局部加粗，图案二维特征显著，导致OPC矫正 的精确度下降，降低OPC矫正的效果，不利于减少光学临近效应，从而容易降 低集成电路的性能和成品率；以及

三，由于更改孤立线21电路图案通常需要电路设计方修改，而此时电路图 案已交给电路制造方，所以修改时需要双方耗费大量人力物力进行沟通交流， 将降低集成电路制造效率。

发明内容

本发明提供OPC方法，以在避免peeling及CT coverage的问题的基础上， 提高OPC效率，降低掩膜版成本，以及提高生产效率。

本发明提出了OPC方法，该方法包括：在包含孤立线的电路图案中，添加 与孤立线平行的散射条(SB)；对该电路图案进行光学临近效应修正(OPC)处 理；以及在所述平行的散射条(SB)中最接近孤立线的散射条(SB)上，添加 与孤立线垂直的散射条(SB)，其中所述垂直散射条(SB)的一端位于所述最 接近孤立线的散射条(SB)上，另一端指向孤立线对应的接触点(CT)在孤立 线上的投影。