[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 200810204969.5 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101447514A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：
半导体衬底；
栅极绝缘介电层，位于所述半导体衬底表面上；
栅极，叠加在所述栅极绝缘介电层上表面；
源极区域和漏极区域，设置在所述栅极两侧的半导体衬底表面区域中， 所述源极区域和漏极区域由沟道区隔开；
其特征在于：所述栅极绝缘介电层的第一部分靠近所述漏极区域，第二 部分靠近所述源极区域，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。
2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所 述金属氧化物半导体场效应晶体管还包括栅极侧墙，所述栅极侧墙位于所述栅 极两侧。
3.如权利要求1或2所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于： 所述源极区域与所述沟道区之间、所述漏极区域与所述沟道区之间设有轻掺杂 漏极区。
4.如权利要求3所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所 述源极区域与所述沟道区之间形成的轻掺杂漏极区和所述漏极区域与所述沟道 区之间形成的轻掺杂漏极区具有不同的掺杂条件。
5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所 述栅极绝缘介电层的第一部分的厚度范围为3～200纳米。
6.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所 述栅极绝缘介电层的第二部分的厚度范围为1～50纳米。
7.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所 述栅极为N型或P型多晶硅栅极或者金属栅极。
8.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所 述栅极绝缘介电层为硅的氧化物、硅的氮氧化物，HfO2或者其他高介电常数的 介质层。
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