[发明专利]等离子体刻蚀电介质层的方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀电介质层的方法，其特征在于：

提供一半导体衬底，衬底上包括一电介质层和位于电介质层上的硬膜层 和光刻胶层，所述电介质层的材料为无定型碳；

图形化光刻胶层；

以图形化的光刻胶层为掩膜，利用不含硫的等离子刻蚀气体图形化所述 硬膜层，并在完成硬膜层刻蚀后去除所述光刻胶层，所述不含硫的等离子刻 蚀气体中包括氟，且硬膜层由硅氮化合物组成；

并且，以图形化的硬膜层为掩膜用含硫等离子刻蚀气体刻蚀所述电介质 层。

2.如权利要求1所述的方法，所述含硫等离子刻蚀气体包括氟和/或氧。

3.如权利要求1所述的方法，形成所述含硫等离子刻蚀气体的含硫气体 选自COS、H₂S、CS₂、SO₂，或前述含硫气体经过任意配比后的混合气体。

4.如权利要求1所述的方法，所述含硫等离子刻蚀气体中，含硫气体的 含量比例为0.1％至10％。

5.如权利要求4所述的方法，所述含硫等离子刻蚀气体中，含硫气体的 含量比例为2％至5％。