[发明专利]用于电子器件封接的无铅氧化铋焊料玻璃及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810207413.1 申请日: 2008-12-19
公开(公告)号: CN101456673A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 陈培;乔文杰;李胜春;贺雅飞;夏秀峰 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: C03C8/24 分类号: C03C8/24
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 代理人: 黄志达;谢文凯
地址: 201620上海市松*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子器件 氧化 焊料 玻璃 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.用于电子器件封接的无铅氧化铋焊料玻璃,其组分为:Bi2O3、B2O3、BaO、ZnO、Al2O3、TiO2、CaO、CeO2、Sb2O3、Cr2O3,其重量百分比分别为40%~65%,10%~40%,5%~25%,1%~10%,1%~10%,0.1%~10%,0.1%~10%,0.1%~10%,0.1%~5%,0.1%~5%。

2.根据权利要求1所述的用于电子器件封接的无铅氧化铋焊料玻璃,其特征在于:所述Bi2O3的重量百分比为50%~65%、B2O3的重量百分比为10%~20%、BaO的重量百分比为15%~25%、ZnO的重量百分比为2%~7%、Al2O3的重量百分比为1%~5%、TiO2的重量百分比为0.5%~5%、CaO的重量百分比为0.5%~5%、CeO2的重量百分比为0.5%~5%、Sb2O3的重量百分比为0.1%~1%、Cr2O3的重量百分比为0.1%~1%。

3.用于电子器件封接的无铅氧化铋焊料玻璃的制备方法,包括:

(1)按照如下各组分的重量百分比称取各原料;

Bi2O3                    40%~65%

B2O3                     10%~40%

BaO                      5%~25%

ZnO                      1%~10%

Al2O3                    1%~10%

TiO2                     0.1%~10%

CaO                      0.1%~10%

CeO2                     0.1%~10%

Sb2O3                    0.1%~5%

Cr2O3                    0.1%~5%

(2)将所称取的原料充分混合,制成混合料;

(3)将石英坩埚放入温度为1220℃的电炉中,预热15分钟;

(4)将混合料加入石英坩埚中,在1220℃的熔制温度下熔制,保温2.5个小时;

(5)将熔化后的玻璃液倒入压片机压成薄片或者倒入冷水中水淬或浇铸成一定的形状;

(6)球磨、过筛、检测、包装。

4.根据权利要求3所述的用于电子器件封接的无铅氧化铋焊料玻璃的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)无铅氧化铋焊料玻璃压制成所需要的形状:条状、柱状、平板装、粉状。

5.根据权利要求3所述的用于电子器件封接的无铅氧化铋焊料玻璃的制备方法,其特征在于:无铅氧化铋焊料玻璃的热膨胀系数60~100×10-7/℃,烧成温度为500℃-570℃,熔融温度为500℃-600℃,适用于玻璃、陶瓷、金属、半导体的封接。

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