[发明专利]半导体装置制造方法、固态成像设备、电器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810210184.9 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378019A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 三好康史 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/76;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 固态 成像 设备 电器 及其 | ||
1.一种半导体装置制造方法，其包括如下步骤：
在基板上形成具有开口的第一硬掩模；
在所述第一硬掩模的开口的侧面上形成牺牲膜；
在侧面上具有所述牺牲膜的所述开口中形成第二硬掩模；
在形成所述第二硬掩模之后除掉所述牺牲膜；以及
在形成所述第一硬掩模的步骤之后通过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质，并且在除掉所述牺牲膜的步骤之后通过所述第一硬掩模和所述第二硬掩模离子注入第二导电型杂质，或者
在除掉所述牺牲膜的步骤之后通过所述第一硬掩模和所述第二硬掩模离子注入第二导电型杂质，然后除掉所述第二硬掩模并且在该除掉所述第二硬掩模的步骤之后通过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质。
2.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，所述牺牲膜至少由聚乙烯或含有CxFy的聚合物形成。
3.根据权利要求2所述的半导体装置制造方法，其中，利用化学气相沉积方法或物理气相沉积方法来沉积所述牺牲膜。
4.根据权利要求1所述的半导体装置制造方法，其中，所述第二硬掩模由含有SiO2、TiN或TiO的材料形成。
5.根据权利要求4所述的半导体装置制造方法，其中，利用化学气相沉积方法或旋涂玻璃法形成所述第二硬掩模。
6.一种固态成像装置，其包括：
具有第二导电型光传感器的单元像素；以及
隔离所述单元像素的第一导电型元件隔离区，其中，
所述第一导电型元件隔离区的两个边缘由第二导电型杂质覆盖。
7.一种电器制造方法，其包括如下步骤：
在基板上形成具有开口的第一硬掩模；
在所述第一硬掩模的开口的侧面上形成牺牲膜；
在侧面上具有所述牺牲膜的所述开口中形成第二硬掩模；
在形成所述第二硬掩模之后除掉所述牺牲膜；
在形成所述第一硬掩模的步骤之后通过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质，并且在除掉所述牺牲膜的步骤之后通过所述第一硬掩模和所述第二硬掩模离子注入第二导电型杂质，或者
在除掉所述牺牲膜的步骤之后通过所述第一硬掩模和所述第二硬掩模离子注入第二导电型杂质，然后除掉所述第二硬掩模并且在该除掉所述第二硬掩模的步骤之后通过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质；
以及装配信号处理电路。
8.一种电器，其包括：
具有第二导电型光传感器的单元像素；
隔离所述单元像素的第一导电型元件隔离区；以及
设置在所述第二导电型光传感器上方的透镜，其中，
所述第一导电型元件隔离区的两个边缘由第二导电型杂质覆盖。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
