[发明专利]在半导体衬底中形成的螺旋电感以及形成该电感的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

形成于该半导体衬底中的多个有源区；

覆盖该半导体衬底的第一电介质层；

覆盖在该第一电介质层上的多个导电互连层，所述导电互连层与多个电介质层交替；

形成于其中一个导电互连层中的连续导体；

其中，该半导体衬底在该连续导体下方的一个区域中形成有第一开口，而且，该连续导体下方的多个导电互连层或与其交替的电介质层中的至少一部分在该连续导体下方的一个区域中形成有第二开口。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：布置在第二开口中的非半导体材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括导电通孔，其中，该连续导体包括第一和第二端子，并且其中，该导电通孔将第一和第二端子中的每一个电连接到所述多个有源区之一。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括导电通孔，其中，该连续导体包括第一和第二端子，并且其中，该导电通孔将第一和第二端子中的每一个电连接到所述一个或多个导电互连层之一。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第一和第二导电通孔，其中，该连续导体包括第一和第二端子，并且其中，该第一导电通孔将第一端子电连接到所述多个有源区之一，以及该第二导电通孔将第二端子电连接到所述导电互连层之一。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：布置在第二开口中的非导电材料。