[发明专利]显示基底、加工其的方法和使用其的显示设备

权利要求书

1.一种显示基底，其包含：

开关构件，其包括栅极线、与该栅极线交叉的数据线和电连接到该栅 极线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)；

形成在该开关构件上的滤色器层；

形成在该滤色器层上的无机绝缘层，该无机绝缘层在相应于柱状间隔 的位置形成有间隔孔，该间隔孔暴露对应于该薄膜晶体管(TFT)的该滤色 器层的一部分，和该间隔孔形成在该薄膜晶体管(TFT)的沟道部分上；以 及

形成在该无机绝缘层上的像素电极。

2.如权利要求1所述的显示基底，其中该无机绝缘层包含氮化硅 (SiNx)。

3.如权利要求1所述的显示基底，其中该滤色器层包含相应每个像素 形成的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。

4.如权利要求1所述的显示基底，其中该开关构件进一步包含由形成 该栅极线的金属层形成的存储电极。

5.如权利要求4所述的显示基底，其中该滤色器层上形成有存储孔， 所述存储孔暴露对应于所述存储电极的该开关构件的一部分。

6.如权利要求1所述的显示基底，其中该开关构件进一步包含：

形成在具有该栅极线的绝缘基底上的栅极绝缘层；以及

形成在其上形成有该栅极线、该栅极绝缘层、该数据线和该薄膜晶体 管(TFT)的该绝缘基底上的保护层。

7.如权利要求6所述的显示基底，其中接触孔穿过该保护层、该滤色 器层和该无机绝缘层而形成从而暴露该薄膜晶体管(TFT)的漏极的一部分。

8.一种加工显示基底的方法，该方法包含：

在绝缘基底上形成包括栅极线、与该栅极线交叉的数据线和电连接到 该栅极线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)的开关构件；

在该开关构件上形成滤色器层；

在该滤色器层上形成无机绝缘层，所述无机绝缘层在相应于柱状间隔 的位置具有暴露对应于该薄膜晶体管(TFT)的该滤色器层的一部分的间隔 孔，该间隔孔形成在薄膜晶体管(TFT)的沟道部分上；以及

在该无机绝缘层上形成像素电极。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成该开关构件包括：

在该绝缘基底上形成包括该栅极线、该薄膜晶体管(TFT)的栅极电极 和存储电极的第一金属图案；

在其上形成有该第一金属图案的该绝缘基底上形成栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上形成包括该数据线、该薄膜晶体管(TFT)的源和漏极 的第二金属图案；以及

在其上形成有所述第二金属图案的该绝缘基底上形成保护层。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成该滤色器层包栝：

在该开关构件上形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器；以及

在该红色、绿色和蓝色滤色器中的每个上形成存储孔和第一接触孔， 该存储孔暴露对应于该存储电极的该开关构件的一部分，和该第一接触孔 暴露对应于该漏极的该开关构件的一部分。

11.如权利要求10所述的方法，其中形成该无机绝缘层包括：

在其上形成有该存储孔和该第一接触孔的该滤色器层上形成无机绝缘 材料；

通过图形化该无机绝缘材料形成间隔孔和第二接触孔，该间隔孔暴露 对应于该薄膜晶体管(TFT)的该滤色器层的一部分，和该第二接触孔暴露 对应于该漏极的该开关构件的一部分；以及

穿过该保护层形成暴露该漏极的一部分的第三接触孔。

12.如权利要求11所述的方法，其中该第二接触孔通过与该第三接触 孔的同一工艺同时形成在滤色器层上。