[发明专利]显示基底、加工其的方法和使用其的显示设备有效

专利信息
申请号: 200810210384.4 申请日: 2008-07-04
公开(公告)号: CN101620352A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 金镇奭;李永旭;李宜具 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1335;H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 基底 加工 方法 使用 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种显示基底、加工该显示基底的方法和使用该显示基底 的显示设备。更具体地说,本发明涉及用于显示设备的显示基底、加工该显示基 底的方法和使用该显示基底的显示设备。

背景技术

液晶显示(LCD)设备包括薄膜晶体管(TFT)基底、面向该TFT基底的滤 色器基底和设置在该TFT基底和该滤色器基底之间的液晶层。

该TFT基底包括形成在绝缘基底上的信号线、TFT和用于独立地驱动 多个像素的像素电极。该滤色器基底包括含有红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤 色器的滤色器层和面向该TFT基底的该像素电极的公用电极。如果该TFT基底 和该滤色器基底相偏离可能导致质量降低。

为了减轻该TFT基底和该滤色器基底的偏离而导致的质量降低,具有 滤色器在阵列上(COA)结构的LCD设备发展起来,其中滤色器层形成在该TFT 基底上。

为了阻止有害气体从滤色器层流出,含有COA结构的该TFT基底可 以包括覆盖滤色器层的无机绝缘层。

当形成在该滤色器层上的该无机绝缘层比该滤色器层硬时,该滤色器 层相应于柱状间隔的接触部分的可压缩性会降低。结果,液晶分子的伸展性会降 低,导致该TFT基底和该滤色器基底之间没有充满液晶分子的LCD形成部分。 当那部分或该LCD处于黑色状态时,没有充满液晶分子的区域会产生微红色的 缺陷。

发明内容

本发明提供了一种通过加强含有滤色器层在阵列上(COA)的结构的液 晶显示(LCD)设备压缩特性来增强显示质量的显示基底。

本发明同时提供了一种加工上述显示基底的方法。

本发明同时提供了一种含有上述显示基底的显示设备。

本发明的一方面,显示基底包含开关构件、滤色器层、无机绝缘层和 像素电极。该开关构件包含栅极线、与该栅极线交叉的数据线、电连接到该栅极 线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)。该滤色器层形成在开关构件上。该无机绝缘 层形成在该滤色器层上。该无机绝缘层上有形成其上的一个孔,该孔暴露该滤色 器层相应于该TFT的一部分。该像素电极形成在该无机绝缘层上。

在典型的实施例中,该无机绝缘层可以包含氮化硅(SiNx)。

在典型的实施例中,该滤色器层可以包含相应每个像素形成的红色滤 色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层。

在典型的实施例中,该开关构件可以进一步包括由用来形成该栅极线 的金属层形成的存储电极。这里,该滤色器层上可以有形成其上的一个孔,这个 孔暴露该TFT层相应于该存储电极的一部分。

在典型的实施例中,该开关构件可以进一步包括栅极绝缘层和保护层。 该栅极绝缘层形成在含有该栅极线的绝缘基底上。该保护层形成在含有形成在其 上的该栅极线、该栅极绝缘层、该数据线和该TFT的该绝缘基底上。这里,该保 护层、该滤色器层和该无机绝缘层可以进一步含有暴露该TFT漏电极的一部分的 接触孔。

本发明的典型的实施例中,加工这种显示基底的方法可以包括在绝缘 基底上形成开关构件。该开关构件可以包含栅极线,与该栅极线交叉的数据线、 电连接到该栅极线和该数据线的TFT。滤色器层可以形成在该开关构件上。无机 绝缘层可以形成在该滤色器层上,该滤色器层上可以有一个孔,这个孔暴露该滤 色器层相应于该TFT的一部分。像素电极形成在该无机绝缘层上。

为了加工该开关构件,第一金属图案形成在该绝缘基底上。第一金属 图案可以包含该栅极线、该TFT的栅电极和存储电极。栅极绝缘层形成在含有其 上形成该金属图案的该绝缘基底上。然后,第二金属图案形成在该栅极绝缘层上, 该第二金属图案含有该数据线和该TFT的源电极和漏电极。保护层可以形成在其 上形成有该第二金属图案的该绝缘基底上。

为了加工该滤色器层,红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器形成在 该开关构件上。然后,存储孔和第一接触孔形成在每一个红色、绿色和蓝色滤色 器上。该存储孔可以暴露相应于该存储电极的该开关构件的一部分。该第一接触 孔可以暴露相应于该漏电极的开关构件的一部分。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810210384.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top