[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底，其具有平行于一晶面的第一表面和平行于另一不同 晶面的第二表面；以及

布置在所述第二表面上的、用以发光的发光层，所述发光 层具有不平行于所述第一表面的发光表面。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬 底包括(100)晶面和(111)晶面，其中所述第一表面平行于所述衬 底的所述(100)晶面，并且其中所述发光层平行于所述衬底的所 述(111)晶面。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发 光层包括量子阱层，所述量子阱层被配置为在所述量子阱层中 通过电流时发光。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述量 子阱层包括由从由InN、InGaN、GaN、InAlN、AlInGaN、AlGaN 和InGaAlP构成的组中选择的材料形成的层。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括 所述衬底和所述发光层之间的缓冲层。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述缓 冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于30％的反 射系数。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述缓 冲层在由所述发光层发射的光的光谱范围内具有高于50％的反 射系数。

8.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述缓 冲层的厚度为200到200,000埃。

9.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述缓 冲层包括从由铝、氧化铝、银、氧化银、氮化银、金、氧化金、 氮化金、包括铝、银或金的合金、GaN、ZnO、AlN、HfN、AlAs、 SiCN、TaN和SiC构成的组中选择的材料。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：

所述衬底和所述发光层之间的下III-V族化合物层；以及

所述发光层上的上III-V族化合物层。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬 底具有在所述第一表面中形成的沟槽，并且其中所述发光层布 置在所述沟槽内。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述 沟槽外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺 寸。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬 底具有在所述第一表面上形成的突起，并且其中所述发光层布 置在所述突起上。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其特征在于，所述 突起外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺 寸。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬 底包括硅、氮化镓、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、砷化镓、氮化 硅或氧化锌。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其特征在于，所述 衬底包括绝缘体上硅结构或具有玻璃衬底上的硅层的双层结 构。

17.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发 光层具有封装区域和大于所述封装区域的表面区域。

18.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述 衬底包括在所述第一表面中限定的沟槽，并且其中所述发光层 布置在所述沟槽内。

19.根据权利要求18所述的发光器件，其特征在于，所述 沟槽外部的所述第一表面包括至少一个窄于1000微米的宽度尺 寸。

20.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，所述 衬底具有在所述第一表面上形成的突起，并且其中所述发光层 布置在所述突起上。