[发明专利]包含与芯片背面相连的电子元件的半导体器件有效
申请号: | 200810211551.7 | 申请日: | 2008-09-19 |
公开(公告)号: | CN101409279A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 米夏埃尔·鲍尔;爱德华·菲尔古特;约阿希姆·马勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李 慧 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 芯片 背面 相连 电子元件 半导体器件 | ||
1.一种半导体封装,包含:
基片;
至少一个芯片,包含第一表面和与所述第一表面相对的 背面,所述第一表面与所述基片电相连;所述第一表面是有源 表面,所述芯片限定在所述第一表面和所述背面之间延伸的过 孔,
与所述至少一个芯片的背面相连的导电层;
与所述导电层相连并与所述基片电通信连接的至少一个 电子元件;其中至少一个电子元件安装到所述芯片的背面上; 其中,所述导电层包括限定了通孔结构的板以及沉积在所述板 的一部分上方和所述通孔的一部分中的金属层;所述金属层限 定了从所述电子元件穿过所述板和至少一个过孔延伸至所述 基片的电性路径。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述有源表面通过 凸块以倒装芯片方式结合至所述基片,并且所述至少一个电子 元件通过所述过孔和所述凸块与所述基片电通信连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述基片包括再分 配层并且所述至少一个芯片包括与所述再分配层电相连的嵌 入式芯片,所述芯片限定在所述第一表面和所述背面之间延伸 的过孔,并且所述至少一个电子元件通过所述过孔与所述再分 配层电通信连接。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述至少一个电子 元件包括从由电阻器、电感器和电容器组成的组中选择的无源 电子元件。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述至少一个电子 元件包括有源电子元件。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述金属层包括铜 并且所述至少一个电子元件直接铜结合至所述板。
7.一种半导体封装,包括:
限定了第一表面和第二表面的载体;
与所述载体相连的至少一个芯片;所述至少一个芯片包 括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、形成第一表面 和第二表面之间的在所述芯片中的第一过孔和第二过孔,所述 第一表面与所述载体电相连;其中第一表面是有源表面;
与所述芯片的第二表面相连的结合层;所述结合层通过 形成在所述芯片中的所述第一过孔和所述第二过孔中的至少 一个与所述载体电相通;
与所述结合层相连的至少一个电子元件,所述结合层包 括限定了通孔结构的板以及沉积在所述板的一部分上方和所 述通孔的一部分中的金属层;所述金属层限定了从所述电子元 件穿过所述板和所述芯片内的第一和第二过孔延伸至所述基 片的电性路径;沉积在所述芯片和所述载体的第一表面上的封 装材料。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中,所述至少一个芯片 包括沉积在所述第一表面上的金属凸块,所述金属凸块与所述 载体的第一表面电相连。
9.根据权利要求7所述的半导体封装,其中所述载体包括含有电 性互联件的薄膜并且所述至少一个芯片与所述电性互联件电 相连。
10.一种电子器件,包含:
基片;
至少一个包括第一表面和与所述第一表面相对的背面的 芯片;所述第一表面与所述基片电相连;其中第一表面是有源 表面;所述芯片限定从第一侧延伸到背面的过孔;
将至少一个电子元件安装至所述芯片的所述背面上的装 置,使得所述至少一个电子元件与所述基片电通信连接,其中 用于将至少一个电子元件电连接至所述芯片的背面的装置包 括限定了通孔结构的板以及沉积在所述板的一部分上方和所 述通孔的一部分中的金属层;所述金属层限定了从所述电子元 件穿过所述板和第一过孔和第二过孔延伸至所述基片的电性 路径。
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