[发明专利]一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式。

背景技术

目前绝大部分集成电路中会用到AL-0.5CU材料作为金属导电层，此种铝铜金属薄膜在沉积过程中经常会因为机台异常或其它原因导致已沉积AL-0.5CU金属薄膜处在300摄氏度的环境中，而此温度正是Al-0.5Cu材料的铜析出点，铜会沿着晶粒边界处析出，图1所示为Al-0.5Cu金属薄膜有铜析出的现象，其中箭头所指颗粒状的物质是析出的铜。在后续蚀刻过程中析出的铜无法被蚀刻掉，从而残留在晶片表面，图2表示铜析出后造成金属残留的现象，其中的环状物是析出的铜残留。此残留在线宽比较窄的金属线之间容易造成短路，从而影响到器件的导电性和合格率。

发明内容

本发明的目的在于克服上述问题，提供一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式。

本发明所述的一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式，该再加工方式包括：

将表面具有析出铜的铝铜金属薄膜的材料置于真空环境中，加温至350～600摄氏度，而后将该材料置于该真空环境中预定时间，使得铜回熔到铝铜金属薄膜中。

上述预定的温度优选为400摄氏度。

上述真空环境中具有预定压力。

上述真空环境的压力小于2E-7托。

上述预定时间的长度根据铝铜金属薄膜的厚度来确定。

当金属薄膜厚度小于等于3k埃时，上述预定时间为60～120秒，优选为80秒；当金属薄膜厚度大于3k埃时，上述预定时间为120～180秒，优选为150秒。

采用本发明的再加工方式之后，可以使析出的铜回熔到AL-0.5CU金属薄膜中，从而减少报废，提高合格率。

附图说明

图1表示Al-0.5Cu金属薄膜有铜析出的现象；

图2表示铜析出后造成金属残留的现象；

图3表示本发明所述再加工方式的流程图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，对本发明所述的一种可使析出的铜回熔到铝铜金属薄膜中的再加工方式作进一步的详细说明。

本发明的是将表面具有铜析出的铝铜金属薄膜的材料放置于特定的环境中进行再加工，目的是使析出的铜回熔到例如是AL-0.5Cu金属薄膜中。

首先，铝铜金属薄膜上的铜析出可以是由于各种原因的析出，例如因将该铝铜金属薄膜置于300摄氏度的环境内一定时间而析出铜，或者是以其他方式使铜析出。析出的铜残留在铝铜金属薄膜会导致后续过程中出现问题。如图3所示，在本发明的再加工方式中，将该表面析出有铜的铝铜金属薄膜的材料置于压力小于2E-7托(Torr)的真空环境中，加温至350～600摄氏度，优选为400摄氏度，然后将铝铜金属薄膜材料置于该真空环境中预定时间，使得铜回熔到铝铜金属薄膜中，上述预定时间是由AL-0.5Cu金属薄膜的厚度决定的，其厚度越厚所需要的再加工的时间越长，例如当薄膜厚度小于等于3k埃时，需要的再加工时间为60～120秒，优选为80秒，而当膜厚大于3k埃时，所需要的再加工时间为120～180秒，优选为150秒。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；如果不脱离本发明的精神和范围，对本发明进行修改或者等同替换的，均应涵盖在本发明的权利要求的保护范围当中。