[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

深沟槽，位于绝缘体上半导体(SOI)衬底中；

导电沟槽填充区域，位于所述深沟槽中并横向邻接顶部半导体层的一部分；以及

浅沟槽隔离结构，包括上侧壁、下侧壁、以及直接邻接所述上侧壁与所述下侧壁的基本上水平的表面，其中所述下侧壁自对准并邻接掩埋绝缘体层的一部分的侧壁，以及其中所述掩埋绝缘体层的所述部分横向邻接所述导电沟槽填充区域。

2.根据权利要求1的半导体结构，其中所述下侧壁横向邻接并自对准所述深沟槽的侧壁，其中所述深沟槽的所述侧壁从所述深沟槽的最底表面延伸到所述导电沟槽填充区域的最顶表面而没有台阶或扭折。

3.根据权利要求1的半导体结构，其中所述下侧壁与所述深沟槽中的节点介质的外部边缘基本上垂直一致并与其自对准。

4.根据权利要求1的半导体结构，其中所述下侧壁横向邻接并自对准所述导电沟槽填充区域的外部边缘。

5.根据权利要求1的半导体结构，其中在所述导电沟槽填充区域的最顶表面与节点介质的顶表面之间，所述导电沟槽填充区域具有基本上恒定的水平截面积，其中所述节点介质的所述顶表面位于所述掩埋绝缘体层的顶表面与所述掩埋绝缘体层的底表面之间。

6.根据权利要求1的半导体结构，其中在所述导电沟槽填充区域的平面最顶表面与所述掩埋绝缘体层的顶表面之间，所述导电沟槽填充区域没有台阶。

7.根据权利要求1的半导体结构，其中遍及整个的所述SOI衬底，所述掩埋绝缘体层具有位于恒定深度处的顶表面，并且其中所述浅沟槽隔离结构具有垂直邻接所述掩埋绝缘体层的所述顶表面的平面最底表面。

8.一种半导体结构，包括：

深沟槽，位于绝缘体上半导体(SOI)衬底中；

导电沟槽填充区域，位于所述深沟槽中并横向邻接顶部半导体层的一部分；

第一浅沟槽隔离结构，包括上侧壁、下侧壁、以及直接邻接所述上侧壁与所述下侧壁的基本上水平的表面，其中所述下侧壁自对准并邻接掩埋绝缘体层的一部分的侧壁，以及其中所述掩埋绝缘体层的所述部分横向邻接所述导电沟槽填充区域；以及

第二浅沟槽隔离结构，其与所述深沟槽分离并垂直邻接所述掩埋绝缘体层。

9.根据权利要求8的半导体结构，其中所述下侧壁横向邻接并自对准所述深沟槽的侧壁，其中所述深沟槽的所述侧壁从所述深沟槽的最底表面延伸到所述导电沟槽填充区域的最顶表面而没有台阶或扭折。

10.根据权利要求8的半导体结构，其中所述下侧壁与所述深沟槽中的节点介质的外部边缘基本上垂直一致并与其自对准。

11.根据权利要求8的半导体结构，其中所述下侧壁横向邻接并自对准所述沟槽填充区域的外部边缘。

12.根据权利要求8的半导体结构，其中在所述导电沟槽填充区域的最顶表面与节点介质的顶表面之间，所述导电沟槽填充区域具有基本上恒定的水平截面积，其中所述节点介质的所述顶表面位于所述掩埋绝缘体层的顶表面与所述掩埋绝缘体层的底表面之间。

13.根据权利要求8的半导体结构，其中在所述导电沟槽填充区域的平面最顶表面与所述掩埋绝缘体层的顶表面之间，所述导电沟槽填充区域没有台阶。

14.一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：

在绝缘体上半导体(SOI)衬底中形成衬垫层；

在所述衬垫层和所述SOI衬底中形成深沟槽；

在所述深沟槽中形成导电沟槽填充区域，其中所述导电沟槽填充区域的最顶表面被凹陷到所述SOI衬底的顶表面之下；

去除所述衬垫层的一部分并暴露顶部半导体部分，其中所述衬垫层的剩余部分包括侧壁，所述侧壁与所述深沟槽的侧壁垂直一致并与其直接邻接，并且其中所述顶部半导体部分横向邻接所述深沟槽的另一侧壁；

去除所述顶部半导体部分并暴露掩埋绝缘体层的顶表面；以及

直接在所述掩埋绝缘体层和所述导电沟槽填充的所述顶表面上形成浅隔离沟槽结构。