[发明专利]电光装置及电子设备有效
申请号: | 200810212605.1 | 申请日: | 2008-08-21 |
公开(公告)号: | CN101373779A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 望月宏明 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 电子设备 | ||
1.一种电光装置,其特征在于,
在基板上,具备:
互相交叉的多条数据线及多条扫描线,
设置于对应于所述交叉处的每个像素的多个像素部,和
图像信号供给电路,包括(i)移位寄存器和(ii)其他电路,所述移 位寄存器具备多个第1晶体管并且依次输出传输信号,所述第1晶体管分 别包括具有第1源、漏区域的第1半导体层,所述其他电路具备多个第2 晶体管并且基于依次输出的所述传输信号、通过所述数据线对所述像素部 供给图像信号,所述第2晶体管分别包括具有第2源、漏区域的第2半导 体层;
在所述第2源、漏区域,含有与在所述第1源、漏区域以预定浓度所 含有的杂质同一种类的杂质,其浓度高于所述预定浓度。
2.按照权利要求1所述的电光装置,其特征在于,
所述其他电路,包括:
使能电路,使用多个序列的使能信号对依次输出的所述传输信号进行 整形将其作为整形信号进行输出,和
采样电路,根据所述整形信号或基于所述整形信号的信号对所述图像 信号进行采样,供给于所述数据线。
3.一种电光装置,其特征在于,
在基板上,具备:
互相交叉的多条数据线及多条扫描线,
设置于对应于所述交叉处的每个像素的多个像素部,和
图像信号供给电路,包括(i)移位寄存器和(ii)其他电路,所述移 位寄存器具备多个第1晶体管并且依次输出传输信号,所述第1晶体管分 别包括具有第1沟道区域、第1源、漏区域以及形成于所述第1沟道区域 及所述第1源、漏区域之间的第1LDD区域的第1半导体层,所述其他电 路具备多个第2晶体管并且基于依次输出的所述传输信号、通过所述数据 线对所述像素部供给图像信号,所述第2晶体管分别包括具有第2沟道区 域、第2源、漏区域以及形成于所述第2沟道区域及所述第2源、漏区域 之间的第2LDD区域的第2半导体层;
在所述第2LDD区域,包含与在所述第1LDD区域以预定浓度所包 含的杂质同一种类的杂质,其浓度高于所述预定浓度。
4.一种电子设备,其特征在于:
具备如权利要求1~3中的任何一项所述的电光装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的