[发明专利]电光装置及电子设备有效
申请号: | 200810212605.1 | 申请日: | 2008-08-21 |
公开(公告)号: | CN101373779A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 望月宏明 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及例如液晶装置等的电光装置、及具备该电光装置的例如液 晶投影机等的电子设备。
背景技术
这种电光装置,在基板上的像素区域,形成连接于多条扫描线及数据 线的多个像素部,并且在位于像素区域的周边的周边区域,设有用于对数 据线进行驱动的数据线驱动电路、用于对扫描线进行驱动的扫描线驱动电 路、以及用于对图像信号进行采样的采样电路等的外部电路。
在此,数据线驱动电路,具有依次输出传输信号的移位寄存器,基于 该传输信号生成采样电路驱动信号。并且,采样电路,以从数据线驱动电 路所供给的采样电路驱动信号的定时,对供给于图像信号线上的图像信号 进行采样并供给于数据线。
例如在专利文献1中,公开了通过使构成外部电路的晶体管为LDD (Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)结构,使该晶体管的源、漏间耐压提 高的技术。
【专利文献1】特开平6-102531号公报
可是,随着工作频率增高,移位积存器的寿命降低,存在该电光装置 的装置寿命有可能降低的技术性问题。另一方面,在这种电光装置中,为 了提高数据线驱动电路及采样电路的驱动能力,一般要求提高构成它们的 晶体管的导通电流。
发明内容
本发明是鉴于例如上述的问题所作出的,其目的在于提供可以延长装 置寿命并进行高质量的图像显示的电光装置及具备该电光装置的电子设 备。
本发明所涉及的第1电光装置为了解决上述问题,在基板上,具备: 互相交叉的多条数据线及多条扫描线;设置于对应于所述交叉处的每个像 素的多个像素部;和图像信号供给电路,包括(i)移位寄存器和(2)其 他电路,其中,移位寄存器具备分别包括具有第1源、漏区域的第1半导 体层的多个第1晶体管并依次输出传输信号,其他电路具备分别包括具有 第2源、漏区域的第2半导体层的多个第2晶体管并基于所述依次输出的 传输信号、通过所述数据线对所述像素部供给图像信号,在所述第2源、 漏区域,含有与所述第1源、漏区域以预定浓度所含有的杂质同一种类的 杂质,其浓度高于所述预定浓度。
若依照于本发明中的第1电光装置,当其动作时,通过移位寄存器, 基于预定周期的时钟信号从各级依次输出传输信号。接下来,通过构成其 他电路的一部分的例如使能电路,对于移位寄存器的各级,取使能信号、 与传输信号的逻辑与,将该逻辑与作为采样电路驱动信号供给于构成其他 电路的另外一部分的采样电路。此时,通过将使能信号的脉冲宽度设定得 比时钟信号的脉冲宽度窄,相邻供给的采样电路驱动信号,相互不会重叠 即可。接下来,在采样电路中,根据采样电路驱动信号采样从外部供给的 图像信号,并向数据线供给。接下来,根据从数据线供给的图像信号光在 各像素部对光进行调制,进行设置有像素部的显示区域中的图像显示。
在本发明中,构成图像信号供给电路的一部分的移位寄存器,具备多 个第1晶体管,该第1晶体管分别包括具有第1源、漏区域的第1半导体 层。另一方面,构成图像信号供给电路的另一部分的其他电路,具备多个 第2晶体管,该第2晶体管分别包括具有第2源、漏区域的第2半导体层。 还有,第1及第2晶体管,既可以作为自匹配型或自对准型的晶体管而构 成,也可以作为具有LDD结构的晶体管而构成。
在本发明中尤其是,在第2晶体管中的第2源、漏区域,含有与第1 晶体管中的第1源、漏区域以预定浓度含有的杂质同一种类的杂质,其浓 度高于预定浓度。即,其他电路所具备的第2晶体管的第2源、漏区域的 杂质浓度,比移位寄存器所具备的第1晶体管的第1源、漏区域的杂质浓 度高。若换言之,移位寄存器所具备的第1晶体管的第1源、漏区域的杂 质浓度,比其他电路所具备的第2晶体管的第2源、漏区域的杂质浓度低。
因而,能够降低移位寄存器所具备的第1晶体管中的导通电流,并能 够提高其他电路所具备的第2晶体管中的导通电流。从而,能够降低移位 寄存器所具备的第1晶体管中的消耗电流,并能够提高其他电路所具备的 第2晶体管的晶体管功能。因此,能够谋求晶体管的长寿命化,并能够提 高其他电路的驱动能力。
该结果,若依照于本发明所涉及的第1电光装置,则能够谋求该电光 装置的长寿命化并且进行高质量的图像显示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的