[发明专利]缓冲装置与薄膜沉积系统有效

专利信息
申请号: 200810212830.5 申请日: 2008-09-05
公开(公告)号: CN101665928A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 林正聪;孙兆金;唐瑞麟;彭劲凯;刘宇恒 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: C23C16/54 分类号: C23C16/54;C23C16/44;H01L21/00;H01L21/31
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 缓冲 装置 薄膜 沉积 系统
【权利要求书】:

1.一种缓冲装置,连接于液态材料供应装置与沉积机台之间,该缓冲装 置包括:

容器,用于容纳该液态材料供应装置所供应的液态材料,该容器的顶部 具有输入孔与输出孔;以及

挡板,配置于该容器中,且位于该输入孔下方,

其中该挡板具有至少一个孔洞,且该至少一个孔洞不位于该输入孔正下 方。

2.如权利要求1所述的缓冲装置,其中该挡板的材料与该容器的材料相 同。

3.如权利要求1所述的缓冲装置,其中该液态材料包括低介电常数材 料。

4.如权利要求1所述的缓冲装置,其中该液态材料包括四二甲基胺钛、 四乙氧基硅烷或四甲基环硅氧烷。

5.一种薄膜沉积系统,包括:

沉积机台;

液态材料供应装置,用以供应液态材料;以及

缓冲装置,连接于该液态材料供应装置与该沉积机台之间,该缓冲装置 包括:

容器,用于容纳该液态材料,该容器的顶部具有输入孔与输出孔;

以及

挡板,配置于该容器中,且位于该输入孔下方,

其中该挡板具有至少一个孔洞,且该至少一个孔洞不位于该输入孔 正下方。

6.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,其中该挡板的材料与该容器的材 料相同。

7.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,其中该液态材料包括低介电常数 材料。

8.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,其中该液态材料包括四二甲基胺 钛、四乙氧基硅烷或四甲基环硅氧烷。

9.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,还包括输入管,该输入管连接该 输入孔与该液态材料供应装置。

10.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,还包括输出管,该输出管连接 该输出孔与该沉积机台,且穿过该输出孔而延伸至该容器中的该液态材料的 液面下。

11.如权利要求10所述的薄膜沉积系统,其中该输出管延伸至邻近该容 器的底部。

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