[发明专利]缓冲装置与薄膜沉积系统有效
申请号: | 200810212830.5 | 申请日: | 2008-09-05 |
公开(公告)号: | CN101665928A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 林正聪;孙兆金;唐瑞麟;彭劲凯;刘宇恒 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/44;H01L21/00;H01L21/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缓冲 装置 薄膜 沉积 系统 | ||
1.一种缓冲装置,连接于液态材料供应装置与沉积机台之间,该缓冲装 置包括:
容器,用于容纳该液态材料供应装置所供应的液态材料,该容器的顶部 具有输入孔与输出孔;以及
挡板,配置于该容器中,且位于该输入孔下方,
其中该挡板具有至少一个孔洞,且该至少一个孔洞不位于该输入孔正下 方。
2.如权利要求1所述的缓冲装置,其中该挡板的材料与该容器的材料相 同。
3.如权利要求1所述的缓冲装置,其中该液态材料包括低介电常数材 料。
4.如权利要求1所述的缓冲装置,其中该液态材料包括四二甲基胺钛、 四乙氧基硅烷或四甲基环硅氧烷。
5.一种薄膜沉积系统,包括:
沉积机台;
液态材料供应装置,用以供应液态材料;以及
缓冲装置,连接于该液态材料供应装置与该沉积机台之间,该缓冲装置 包括:
容器,用于容纳该液态材料,该容器的顶部具有输入孔与输出孔;
以及
挡板,配置于该容器中,且位于该输入孔下方,
其中该挡板具有至少一个孔洞,且该至少一个孔洞不位于该输入孔 正下方。
6.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,其中该挡板的材料与该容器的材 料相同。
7.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,其中该液态材料包括低介电常数 材料。
8.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,其中该液态材料包括四二甲基胺 钛、四乙氧基硅烷或四甲基环硅氧烷。
9.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,还包括输入管,该输入管连接该 输入孔与该液态材料供应装置。
10.如权利要求5所述的薄膜沉积系统,还包括输出管,该输出管连接 该输出孔与该沉积机台,且穿过该输出孔而延伸至该容器中的该液态材料的 液面下。
11.如权利要求10所述的薄膜沉积系统,其中该输出管延伸至邻近该容 器的底部。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的