[发明专利]缓冲装置与薄膜沉积系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种缓冲装置与薄膜沉积(thin film deposition)系统，且特别 是涉及一种可以减少液态材料所产生的气泡的缓冲装置与薄膜沉积系统。

背景技术

在目前的半导体工艺中，薄膜沉积技术是广泛应用且不可或缺的技术。 一般来说，在进行薄膜沉积工艺之前，会先将位于远程的液态材料利用承载 气体(carrier gas)运送至缓冲装置(例如安瓿(ampoule))中，然后再将缓冲装置 中的液态材料传送至沉积机台中来进行沉积。当缓冲装置中的液态材料耗尽 时，位于远程的液态材料则再次利用承载气体运送至缓冲装置中。

然而，当位于远程的液态材料运送至缓冲装置中时，往往因为液态材料 进入缓冲装置的流速过快，而在缓冲装置内产生过多的气泡。这些气泡会随 着液态材料被传送至沉积机台中而造成薄膜沉积厚度不均的问题，进而对后 续的工艺产生影响。

为了解决因气泡所造成的薄膜沉积厚度不均的问题，一般会在正式形成 所需的膜层之前，先进行底涂(undercoat)、预涂(precoat)以及空白沉积(dummy deposition)，以消耗含有气泡的液态材料。然而，由于气泡的数量过多，此 方式往往会耗费过多的时间而导致产量降低，且因耗费过多的液态材料而增 加了生产成本。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种缓冲装置，其可以减少液态材 料所产生的气泡。

本发明的另一目的就是在提供一种薄膜沉积系统，其可以降低生产成本 以及提高产量。

本发明提出一种缓冲装置，其连接于液态材料供应装置与沉积机台之 间。此缓冲装置包括容器以及挡板。容器用于容纳液态材料供应装置所供应 的液态材料，且此容器的顶部具有输入孔与输出孔。挡板配置于容器中，且 位于输入孔下方。

依照本发明实施例所述的缓冲装置，上述的挡板例如具有至少一个孔 洞，且孔洞不位于输入孔正下方。

依照本发明实施例所述的缓冲装置，上述的挡板的材料例如与容器的材 料相同。

依照本发明实施例所述的缓冲装置，上述的液态材料例如为低介电常数 材料、四二甲基胺钛(tetrakis(dimethylamido)titanium，TDMAT)、四乙氧基 硅烷(tetraethylorthosilicate，TEOS)或四甲基环硅氧烷 (tetramethylcyclotetrasiloxane，TMCATS)。

本发明另提出一种薄膜沉积系统，其包括沉积机台、液态材料供应装置 以及缓冲装置。液态材料供应装置用以供应液态材料。缓冲装置连接于液态 材料供应装置与沉积机台之间。此缓冲装置包括容器以及挡板。容器用于容 纳液态材料，且此容器的顶部具有输入孔与输出孔。挡板配置于容器中，且 位于输入孔下方。

依照本发明实施例所述的薄膜沉积系统，上述的挡板例如具有至少一个 孔洞，孔洞不位于输入孔正下方。

依照本发明实施例所述的薄膜沉积系统，上述的挡板的材料例如与容器 的材料相同。

依照本发明实施例所述的薄膜沉积系统，上述的液态材料例如为低介电 常数材料、四二甲基胺钛、四乙氧基硅烷或四甲基环硅氧烷。

依照本发明实施例所述的薄膜沉积系统，还可以具有连接输入孔与液态 材料供应装置的输入管。

依照本发明实施例所述的薄膜沉积系统，还可以具有连接输出孔与沉积 机台的输出管，且此输出管穿过输出孔而延伸至容器中的液态材料的液面 下。

依照本发明实施例所述的薄膜沉积系统，上述的输出管例如延伸至邻近 容器的底部。

本发明于缓冲装置的容器的输入孔下方配置挡板，因此当具有高流速的 液态材料通过输入孔注入容器时，可以改变液态材料的流动方向并同时降低 液态材料的流速，以减少因液态材料直接向下冲击而产生的气泡。此外，由 于容器中的气泡数量减少，使得传送至沉积机台中的气泡数量也随之减少， 因此可以减少液态材料的消耗而降低了生产成本，以及提高薄膜沉积工艺的 产量。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实 施例，并配合所附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为依照本发明实施例所绘示的薄膜沉积系统的示意图。

图2为依照本发明实施例所绘示的缓冲装置的剖面示意图。