[发明专利]非易失性半导体存储器件

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：

半导体区；

在半导体区中分开地布置的源极/漏极区；

布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜；

布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极；

布置在浮栅电极上的电极间绝缘薄膜；以及

布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极，

电极间绝缘薄膜包括包含Si的铝酸镧层，其组成比在0.06＜Si/(La+Al)＜0.60的范围内。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其中包含Si的铝酸镧层是非晶的。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器件，浮栅电极由包含Si的材料构成，在电极间绝缘薄膜与浮栅电极之间具有由Al氧化物构成的阻挡层。

4.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器件，控制栅电极具有由包含Si的材料构成的层，电极间绝缘薄膜与控制栅电极之间具有由Al氧化物构成的阻挡层。

5.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器件，其中控制栅电极具有由包含Ta的材料构成的层。

6.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器件，其中隧道绝缘薄膜具有由包含Si的材料构成的层。

7.一种非易失性半导体存储器件，包括：

半导体区；

在半导体区中分开地布置的源极/漏极区；

布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜；

布置在隧道绝缘薄膜上的电荷存储层；

布置在电荷存储层上的阻挡绝缘薄膜；以及

布置在阻挡绝缘薄膜上的控制栅电极，

阻挡绝缘薄膜包括包含Si的铝酸镧层，其组成比在0.06＜Si/(La+Al)＜0.60的范围内。

8.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储器件，其中包含Si的铝酸镧层是非晶的。

9.根据权利要求7或8所述的非易失性半导体存储器件，电荷存储层由包含Si的材料构成，在阻挡绝缘薄膜与电荷存储层之间具有由Al氧化物构成的的阻挡层。

10.根据权利要求7或8所述的非易失性半导体存储器件，控制栅电极具有由包含Si的材料构成的层，在阻挡绝缘薄膜与控制栅电极之间具有由Al氧化物构成的阻挡层。

11.根据权利要求7或8所述的非易失性半导体存储器件，其中控制栅电极具有由包含Ta的材料构成的层。

12.根据权利要求7或8所述的非易失性半导体存储器件，其中电荷存储层由包含Al和Hf中的至少之一的绝缘材料构成。

13.根据权利要求7或8所述的非易失性半导体存储器件，其中隧道绝缘薄膜具有由包含Si的材料构成的层。