[发明专利]用于制造存储介质的方法无效

专利信息
申请号: 200810213348.3 申请日: 2008-08-27
公开(公告)号: CN101377930A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 奥村浩祥;山川荣进 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84;B24B29/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉;吕俊刚
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 制造 存储 介质 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及用于制造存储介质的方法。

背景技术

在可以记录及再现信息的存储装置中所使用的存储介质各个都可以例如通过以下步骤制作:在衬底(substrate)上形成磁性膜;将润滑剂(lubricant)涂布到所得到的叠置体(stack);以及对涂布了润滑剂的叠置体进行平坦化(planarize)。执行平坦化是为了提高在磁记录装置操作期间的磁头悬浮稳定性(floating stability),并且使得磁头不会被附着到磁记录介质表面的异物所损害。日本实用新型登记申请特开昭No.60-60014公开了这种存储介质、存储装置以及用于制造存储介质的方法。

发明内容

根据实施方式的一个方面,一种用于制造存储介质的方法包括以下步骤:提供引导组件及用于形成存储介质的介质板(medium plate)组件;设置所述介质板组件及所述引导组件,使得所述介质板组件与所述引导组件彼此靠近,并且所述介质板组件的表面与所述引导组件的表面形成基本上公共的平面;将用于对所述介质板组件进行抛光的抛光组件引导到所述引导组件的表面上;将用于对所述介质板组件进行抛光的另一抛光组件引导到所述引导组件的另一表面上;将所述引导组件上的所述抛光组件滑动(slide)到所述介质板组件上,以对所述介质板组件的表面进行抛光;以及同时将所述引导组件上的所述另一抛光组件滑动到所述介质板组件上,以对所述介质板组件的所述另一表面进行抛光。

附图说明

图1A到1F是例示了根据本发明的实施方式的用于制造存储介质的方法的示意性截面图;

图2示出了在准备其具有记录层的介质板组件的步骤中所准备的介质板组件的示例的示意性平面图及示意性截面图;

图3是示出了在准备其具有记录层的介质板组件的步骤中所准备的介质板组件的另一示例的示意性截面图;

图4是示出了在排布引导组件和介质板组件的步骤中引导组件及介质板组件的排布结构及形状的示例的示意性平面图;

图5是示出了在排布引导组件和介质板组件的步骤中引导组件及介质板组件的排布结构及形状的另一示例的示意性平面图;

图6A到6C是例示了在根据本发明的实施方式的用于制造存储介质的方法中使抛光组件与引导组件相接触的步骤的截面图;

图7A到7D是示出了在根据本发明的实施方式的用于制造存储介质的方法中抛光组件、引导组件与附着到介质板组件表面的异物之间的位置关系的示意性截面图;

图8A到8C是示出了在根据现有技术的用于制造磁记录介质的方法的过程中抛光组件与附着到介质板组件表面的异物之间位置关系的示意性截面图;

图9是示出了在实验性示例1中所制作的磁记录介质内瑕疵位置与瑕疵数量之间关系的条形图;

图10A到10D是例示了在实验性示例1中的最外周处的瑕疵的生成机制的示意性截面图;

图11A到11C是例示了在实验性示例2中用于制造磁记录介质的方法的示意性截面图;

图12A到12C是例示了在对比示例1中用于制造磁记录介质的方法的示意性截面图;以及

图13是示出了在对比较示例1中制作的磁记录介质的两个表面中的瑕疵位置与数量之间关系的条形图。

具体实施方式

用于对存储介质进行平坦化的典型方法是带抛光(TB,TapeBurnishing)。带抛光包括以下步骤:将抛光带压靠旋转磁记录介质的正面及背面;然后,将抛光带在磁记录介质的表面上进行滑动,以去除介质表面上的突起。为了提高磁记录介质表面的平坦性并且去除磁记录介质表面上的异物,通常在磁记录介质制造工艺的最后步骤中执行带抛光。

不利的是,带抛光会导致磁记录介质中的瑕疵,因而不利地影响磁记录及再现性能。瑕疵集中在磁记录介质中抛光带首先与该介质接触的部分。抛光带和磁记录介质之间的较小接触区域将减少瑕疵数量。然而在该情况下,会降低抛光效率。

本发明提供了一种用于制造记录介质的方法,该方法包括对存储介质进行平坦化,而不产生会不利地影响信息记录及再现性能的瑕疵。

图1A到1F是例示了作为根据本发明的用于制造存储介质的方法的实施方式的用于制造磁记录介质的方法的示意性截面图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810213348.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top