[发明专利]超净工作台及单晶硅用原料的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810213369.5 申请日: 2008-09-02
公开(公告)号: CN101385986A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 堺一弘;宫田幸和 申请(专利权)人: 三菱麻铁里亚尔株式会社
主分类号: B01L1/00 分类号: B01L1/00;B01L1/04;C01B33/037
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 熊玉兰;孙秀武
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 工作台 单晶硅 原料 制造 方法
【说明书】:

本发明要求日本专利申请No.2007-229211(申请日2007年9月4 日)和日本专利申请No.2008-168497(申请日2008年6月27)的优先 权,在此引入这些内容。

发明领域

[0001]

本发明涉及在制造单晶硅时,在作为熔融原料使用的多晶硅的尺寸 或品质的分选中使用的超净工作台(クリ一ンベンチ)及具有该洁净化 工序的单晶硅用原料的制造方法。

背景技术

[0002]

一般来说,制造成为单晶硅原料的多晶硅时,使含有氯硅烷气体和 氢气的原料气体与加热的硅芯棒接触。在硅芯棒的表面上以圆柱状析 出,将其破碎成适当大小的块状或者截断成规定长度的杆状作为原料。 以包装好的状态送至单晶硅制造工厂。另外,包装操作前,通过手工操 作分选多晶硅的尺寸或品质。该分选操作例如在日本特开2005-279576 号公报所示的超净工作台内进行。该超净工作台中具备介由给气用的高 性能滤器向形成于操作台上的操作空间提供空气的送风机、和从操作空 间吸入空气的抽吸孔。利用该送风机和抽吸孔,通过持续地向操作空间 内供给洁净空气,保持操作台上的洁净度。由此,在分选多晶硅时,在 防止杂质在多晶硅上的附着的同时,通过洁净空气的流动除去多晶硅本 身的微粉末。即,试图提高所制造的多晶硅的品质。

[0003]

在超净工作台内进行多晶硅的尺寸或品质的分选操作时,当微粉末 带电时,微粉末静电吸附在多晶硅上。由此,具有无法通过洁净空气的 流动除去微粉末、无法获得所需除去效果的问题。

[0004]

本发明鉴于这种课题而完成,其目的在于提供在进行多晶硅的尺寸 和品质分选操作的超净工作台中,防止微粉末由于静电而附着在多晶硅 上,可以提供维持所制造的多晶硅品质的超净工作台和单晶硅用原料的 制造方法。

发明内容

[0005]

为了解决上述课题,本发明提出了以下的手段。

即,本发明的多晶硅分选用超净工作台具备承载多晶硅的操作台; 和具有相对于上述操作台的上方操作空间包围除了前面之外的三面的 侧板和覆盖操作空间上方的顶板的箱体;设置在上述箱体的上述顶板 上,同时形成向上述操作台的上面供给洁净空气的供给孔,具有电离器, 该电离器将从上述供给孔向上述操作空间供给的上述洁净空气离子化、 除去上述操作台上的静电,在上述箱体的上述侧板上形成吸入上述操作 空间内空气的抽吸孔。

[0006]

通过上述超净工作台,将洁净空气从供给口供给至除了前面之外的 三面被包围的操作台上,利用抽吸孔吸入操作台上面附近的空气,从而 操作台的上面保持于洁净的环境中。由此,可以高度维持操作台上成为 分选操作对象的多晶硅的纯度。结果,可以防止以多晶硅为原料制造的 单晶硅的品质降低。

[0007]

另外,本发明的超净工作台中,利用电离器将洁净空气离子化,吹 向操作台的上面。该洁净空气成为正负的空气离子,当多晶硅的微粉末 带电时,该洁净空气的正负离子与微粉末的静电发生电中和。从而,除 去微粉末所带的静电。然后,除去了静电的微粉末由于丧失了其附着力, 不会附着在多晶硅上,利用洁净空气的流动被吸入至抽吸孔,从操作台 上除去。如上所述,可以容易地除去微粉末。结果可以高度地维持以多 晶硅为原料制造的单晶硅的品质。

[0008]

进而,将利用电离器成为正负空气离子的洁净空气吹向操作台的上 面,将多晶硅的微粉末的静电除去,从而可以容易地除去微粉末。结果, 可以提高以多晶硅为原料制造的单晶硅的品质。

[0009]

还可以设置连通上述抽吸孔和上述供给孔之间的连通路,具有:向 上述操作空间供给洁净空气的送风机、和从由上述送风机供给的上述洁 净空气除去微粉末的滤器,在上述连通路上设置上述滤器和上述送风 机。

[0010]

此时,利用滤器将从抽吸孔吸入的空气洁净化,进行用送风机将洁 净空气从供给孔送至操作台上的空气循环。由此,可以更高度地维持操 作台上面的洁净度。

[0011]

上述滤器包括设置在上述送风机上游侧、除去粒径大于规定尺寸的 粉末的第1滤器;和设置在上述送风机下游侧、除去通过了上述第1滤 器的粉末的第2滤器。

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