[发明专利]编程非易失性存储装置的方法

权利要求书

1.一种编程非易失性存储装置的方法，该方法包括：

将编程电压施加到存储单元；

在施加编程电压之后，将辅助脉冲施加到存储单元，以有助于电荷的热 化；

在施加辅助脉冲之后，将恢复电压施加到存储单元；

在施加恢复电压之后，利用校验电压来校验存储单元的编程状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，辅助脉冲施加极性与由编程电压 产生的电场的极性相反的电场。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，经形成有存储单元的体或沟道来 施加辅助脉冲。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过逐步增大编程电压的电平来 重复施加编程电压、施加辅助脉冲、施加恢复电压和校验编程状态的步骤， 直到存储单元的编程状态通过利用校验电压的校验。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

存储单元包括控制栅极和电荷存储层，

编程电压、恢复电压和校验电压被施加到存储单元的控制栅极。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，恢复电压是极性与校验电压和编 程电压中的每个电压的极性相同的正电压，辅助脉冲的极性与编程电压、恢 复电压和校验电压中的每个电压的极性相反。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，存储单元是浮置栅极型闪速存储 单元和电荷捕获型闪速存储单元中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，非易失性存储装置具有在体上形 成的多个存储单元的NAND结构，并且所述存储单元是从按NAND结构布 置的存储单元中选择的存储单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，体是形成在半导体基底上的p- 阱，存储单元按阵列形成在p-阱中以共享源极/漏极。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，NAND结构包括多个串及位于 每个串两侧的接地选择晶体管和串选择晶体管，每个串具有多个存储单元的 阵列，通过将大于0V的电压施加到共源极和电连接到选择的存储单元所处 的串的接地选择晶体管并将地电压施加到选择的存储单元的操作，来执行极 性与编程电压、校验电压和恢复电压中的每个电压的极性相反的辅助脉冲的 施加。

11.一种编程非易失性存储装置的方法，所述方法包括：

在第一编程操作中，将编程电压施加到存储单元，并利用第一校验电压 来校验存储单元的编程状态；

如果存储单元的编程状态在第一编程操作中通过了利用第一校验电压的 校验，则相对于存储单元，将辅助脉冲施加到存储单元以有助于电荷的热化；

在施加了辅助脉冲之后，将恢复电压施加到存储单元；

在施加了恢复电压之后，利用大于第一校验电压的第二校验电压来校验 存储单元的编程状态。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，经形成有存储单元的体或沟道 来施加辅助脉冲。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，恢复电压是大于第一校验电压 和第二校验电压并具有与第一校验电压、第二校验电压和编程电压中的每个 电压的极性相同的极性的正电压，辅助脉冲的极性与编程电压、恢复电压以 及第一校验电压和第二校验电压中的每个电压的极性相反。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，辅助脉冲施加与由编程电压产 生的电场相反的电场。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括：

如果存储单元的编程状态没有通过利用第二校验电压的校验，则在第二 编程操作中，将编程电压施加到存储单元，经体或沟道施加辅助脉冲以有助 于电荷的热化，施加恢复电压并利用第二校验电压来校验存储单元的编程状 态。