[发明专利]封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

一基板，具有一第一表面、一第二表面、一第一侧面及一接地组件，该第一侧面连接该第一表面及该第二表面；

一半导体组件，设置于该第一表面上并与该基板电性连接；

一封胶体，覆盖于该半导体组件上，该封胶体的一第二侧面与该基板的该第一侧面切齐；

一导电凸块，设置于该第一表面上并具有一平面，该封胶体的该第二侧面露出该导电凸块的该平面，该平面与该封胶体的该第二侧面切齐，该导电凸块与该接地组件电性连接；以及

一导电膜，直接形成于该封胶体的一外表面、该导电凸块外露的该平面及该基板的该侧面上。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该半导体组件与该基板打线连接。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该半导体组件以倒装芯片方式与该基板电性连接。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该接地组件包括一接地走线或一接地焊垫。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，该接地走线或该接地焊垫与该第一侧面之间具有一预定距离。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该导电凸块的高度小于该封胶体的厚度。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该导电膜的组成材料由铝、铜、铬、锡、金、银及镍所构成的群组中选出。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该导电凸块的组成材料由锡膏及导电胶所构成的群组中选出。

9.一种封装方法，包括：

(a)提供一基板，至少具有相邻的一第一基板单元及一第二基板单元，一第一 半导体组件及一第二半导体组件配置于该第一基板单元及该第二基板单元上，该基板具有一第一表面、一第二表面及一侧面，该侧面连接该第一表面及该第二表面，该第一半导体组件及该第二半导体组件设置于该第一表面上并与该基板电性连接，一胶带贴附于该第二表面上；

(b)设置一导电凸块于该第一表面上，该导电凸块位于该第一半导体组件及该第二半导体组件之间；

(c)形成一封胶体，该封胶体覆盖该第一半导体组件、该第二半导体组件及该导电凸块及该第一表面；

(d)形成一切割狭缝，该切割狭缝分割该封胶体、该导电凸块、该基板及部分的该胶带，以形成贴附于该胶带上的一第一半导体装置及一第二半导体装置，该切割狭缝于该胶带中的一切割深度小于该胶带的厚度，该导电凸块的一平面外露于该封胶体；以及

(e)直接形成一导电膜于该封胶体及该切割狭缝上，以使该导电膜覆盖该第一半导体装置及该第二半导体装置的该封胶体的一外表面、该导电凸块外露的该平面及该基板的该侧面。

10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，更包括：

除去该胶带以分离覆盖有该导电膜的该第一半导体装置及该第二半导体装置。

11.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，该步骤(e)中，该导电膜的形成方式由化学气相沉积、无电电镀、电解电镀、喷涂、印刷及溅镀所构成的群组中选出。

12.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，该基板为一数组式基板，该数组式基板具有以一数组形式排列的多个基板单元。

13.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，该步骤(d)包括形成该切割狭缝于该基板的一切割道上，该导电凸块配置于该切割道上。

14.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，该导电膜的组成材料由铝、铜、铬、锡、金、银及镍所构成的群组中选出。

15.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，该导电凸块的组成材料由锡膏及导电胶所构成的群组中选出。

16.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，更包括：

(f)分别设置一第一接地组件及一第二接地组件于该第一基板单元与该第二 基板单元上；

(g)电性连接该导电凸块与该第一接地组件；以及

(h)电性连接该导电凸块与该第二接地组件。